Verilog硬件描述语言综述.pptVIP

* 反向器版图（剖面图 cont .） 阱与衬底 P衬底必须连接到GND或更低电位; N阱连VDD或更高电位; * 制造过程一：如何做N阱？ 制造步骤 从空的晶圆开始 由底向上制作反相器 第一步将形成N阱 -用SiO2保护层覆盖晶圆 -除去N阱需要制作的地方的保护层 -掺杂或扩散N型杂质到暴露的晶圆上 -去掉SiO2 * 制造过程:用氧化炉氧化整个晶片 氧化 在Si晶圆上面生长SiO2 -利用H2O或O2在900~1200 0C的熔炉中氧化 * 制造过程:整个晶片涂上光刻胶 光刻胶 图上光刻胶 -光刻胶是光敏感有机聚合物 -暴露在光线中的部分融化 * 制造过程:平版印刷,并在做N阱的位置用N阱掩模(mask) 曝光光刻胶，然后去掉被曝光的光刻胶 光刻 通过N阱掩膜曝光光刻胶 除去暴露的光刻胶 * 制造过程：用氢氟酸蚀刻N阱位置的氧化物 刻蚀 利用HF酸刻蚀氧化层 * 制造过程: 剥去其他部分的光刻胶 剥去光刻胶 剥掉留下的光刻胶 * 制造过程: 进行N型材料(五价)掺杂 N阱 N阱通过扩散或者离子注入形成扩散 -把晶圆放在砷气的熔炉中 -加热直到As原子扩散到暴露的Si中离子注入 -利用As离子束冲击晶圆 -离子被SiO2阻止，仅进入暴露的硅 * 制造过程：去掉其他部分的氧化层 去掉氧化层 利用HF酸去掉余留的氧化层 回到N阱裸晶圆 紧接着的步骤相似与之前相