CMOS模拟集成电路分析和设计.pptVIP

有源电阻 总之，当MOS管在电路中作有源电阻时，一般栅接固定电位（接漏是一种特例），这时根据栅电压大小来判定MOS管的工作区域（饱和区与三极管区），另外，输出的端口是源端或是漏端，其呈现的阻抗也不同。 沟道调制效应 由上图可以看出： 实际的I/V曲线在饱和时并非是一平行的直线，而是具有一定斜率的斜线。 所有斜线反方向延长与水平轴VDS间有同一交叉点，该点的电压称为厄莱电压VA。 因此在源漏之间是一个非理想的电流源。参数λ反映了沟道调制的深度，且沟道越短，λ越大，表明沟道调制越明显。λ与VA的关系为：λ＝1/VA 。 沟道调制效应 考虑沟道调制效应后MOS管的在饱和区的跨导gm为： 所以沟道调制效应改变了MOS管的I/V特性，进而改变了跨导。 从形式上看，其与VOV的关系还是一致的。 沟道调制效应 不考虑沟道调制效应时，MOS管工作于饱和区时的漏源之间的交流电阻为无穷大，是一理想的电流源。 考虑沟道调制效应后，由于漏电流随漏源电压变化而变化，其值为一有限值。这个电流源的电流值与其电压成线性关系，可以等效为一个连接在漏源之间的电阻，该电阻其实 VDS有关，没有精确解， 但可近似表示为： 沟道调制效应 一般ro也称为MOS管的输出阻抗，它会限制大部分放大器的最大电压增益，影响模拟电路的性能。 对于一个给定的栅源电压，一个较大的沟道长度L可以提供一个更理想的电流