Q_214035ZWJY001-2019集成电路高温高可靠256K SRAM电路详细规范.pdf

Q/ZWJY 无锡中微晶园电子有限公司企业标准 Q/ZWJY 001-2019 集成电路高温高可靠256K SRAM 电路详细规范 2019-09-06 发布 2019-09-06 实施 无锡中微晶园电子有限公司 发布 Q/ZWJY 001-2019 编制说明 本规范主要参考了 Honey 公司的高温 32Kx8 静态 RAM HT6256 产品详细规范。 本规范是《集成电路通用规范》的相关详细规范，包含产品的全部要求。 本规范起草单位：无锡中微晶园电子有限公司。 本规范主要起草人：王栩，吴建伟，洪根深。 I Q/ZWJY 001-2019 目 录 1 范围1 2 引用文件1 3 定义1 4 要求 1 4.1 总则 1 4.2 设计、结构和外形 1 4.2.1 工艺结构 1 4.2.2 器件电学参数规范2 4.2.3 绝对最大额定值4 4.2.4 推荐工作条件5 4.2.5 器件外形5 ③ 芯片：余留厚度350±20μm 7 4.2.6 引出端排列7 4.2.7 功能框图7 4.3 电特性8 4.3.1 真值表8 4.3.2 电路电参数规范8 4.3.3 电路读写时序9 4.3.4 电试验要求 10 5 质量保证规定 10 5.1 抽样和检验 11 5.1.1 电学参数测试 11 5.1.2 中测 11 5.1.3 封装及检验 11 5.1.3.1 封装管壳 11 5.1.3.2 减薄、背金工艺 11 5.1.3.3 封装工艺 12 5.1.3.3.1 高温烧结工艺 12 5.1.3.3.2 高温压焊工艺 12 5.1.3.3.3 封盖工艺 13 5.2 成品测试 13 5.3 筛选 13 5.4 高温老化考核 13 5.4.1 高温老化原理 13 5.4.2 高温老化设备 14 5.4.3 高温老化版 14 5.4.4 高温老化加电条件 16 5.4.5 高温老化方案 16 5.4.6 试验结束 17 6 交货准备 17 II