典型模拟电路分析2.ppt

为了提高三级放大电路的稳定性, 引入了一条直流负反馈。 从V18、V19的输出经R45、R46、C1和C2组成的低通网络滤波后, 滤除图像中频信号, 再经R47、R48及⑥、 ⑨脚外接电容进一步滤除残余中频信号, 然后通过R1和R2加到第一级V1和V2的基极。  2.8 章 末小结 (1) 在分析高频小信号谐振放大器时, Y参数等效电路是描述晶体管工作状况的重要模型, 使用时必须注意, Y参数不仅与静态工作点有关, 而且是工作频率的函数。在分析小信号宽频带放大器时, 混合π型等效电路是描述晶体管工作状况的重要模型, 混合π型参数同样与静态工作点有关。  (2) 单管单调谐放大电路是谐振放大器的基本电路。为了增大回路的有载Q值, 提高电压增益, 减少对回路谐振频率特性的影响, 谐振回路与信号源和负载的连接大都采用部分接入方式, 即采用LC分压式阻抗变换电路。 (3) 集中选频放大器由集中滤波器和集成宽带放大器组成, 其性能指标优于分立元件组成的多级谐振放大器, 且调试简单。 展宽放大器工作频带的主要方法有组合法与反馈法。  (4) 电子系统的内部噪声对信号的接收和处理会产生严重的干扰作用。内部噪声主要有电阻热噪声、晶体管噪声和场效应管噪声三种。噪声系数是衡量放大器以及所有线性四端网络噪声性能好坏的一个重要指标。 在多级放大器中, 各级噪声系数对总噪声系数的影响是不同的。降低前级放大器(尤其是第一级)的噪声系数, 提高前级放大器(尤其是第一级)的额定功率增益是减小多级放大器总噪声系数的重要措施。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 2.6.2晶体管噪声 晶体管噪声主要包括以下四部分。 １ 热噪声 构成晶体管的发射区、基区、集电区的体电阻和引线电阻均会产生热噪声, 其中以基区体电阻rbb′的影响为主。  ２ 散弹噪声 散弹噪声是晶体管的主要噪声源。它是由单位时间内通过ＰＮ结的载流子数目随机起伏而造成的。人们将这种现象比拟为靶场上大量射击时弹着点对靶中心的偏离, 故称为散弹噪声。在本质上它与电阻热噪声类似, 属于均匀频谱的白噪声, 其电流功率频谱密度为:  ＳI（ｆ）＝２ｑＩ0 (2．6．6)  其中Ｉ0是通过ＰＮ结的平均电流值, ｑ是每个载流子所载的电荷量。ｑ＝１５９×１０-19库仑。  注意, 在Ｉ0＝０时, 散弹噪声为零, 但是只要不是绝对零度, 热噪声总是存在。这是二者的区别。  ３ 分配噪声 在晶体管中, 通过发射结的非平衡载流子大部分到达集电结, 形成集电极电流, 而小部分在基区内复合, 形成基极电流。 这两部分电流的分配比例是随机的, 从而造成集电极电流在静态值上下起伏变化, 产生噪声, 这就是分配噪声。  分配噪声实际上也是一种散弹噪声, 但它的功率频谱密度是随频率变化的, 频率越高, 噪声越大。其功率频谱密度也可近似按式（2．6．6）计算。  ４ 闪烁噪声 产生这种噪声的机理目前还不甚明了, 一般认为是由于晶体管表面清洁处理不好或有缺陷造成的, 其特点是频谱集中在约１kＨｚ以下的低频范围, 且功率频谱密度随频率降低而增大。在高频工作时, 可以忽略闪烁噪声。 2.6.3场效应管噪声 场效应管是依靠多子在沟道中的漂移运动而工作的, 沟道中多子的不规则热运动会在场效应管的漏极电流中产生类似电阻的热噪声, 称为沟道热噪声, 这是场效应管的主要噪声源。 其次便是栅极漏电流产生的散弹噪声。场效应管的闪烁噪声在高频时同样可以忽略。  沟道热噪声和栅极漏电流散弹噪声的电流功率频谱密度分别是：  SI(f)=4kT (2.6.7) SI(f)=2qIg (2.6.8)  其中ｇm是场效应管跨导, Ｉg是栅极漏电流。 2.6.4额定功率和额定功率增益