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- 2019-12-16 发布于浙江
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4-6 光电式传感器 光电式传感器是将光量转换为电量,其物理基础是光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应 1、外光电效应 在光的照射下,金属中的自由电子吸收光能而逸出金属表面的现象。如光电管和光电倍增管。 2、内光电效应 半导体材料受光的照射后,其电导率发生变化的现象称为光导效应。而受光后产生电势的现象称为光生伏特效应。如光敏电阻、光电池、光敏晶体管 4-6 光电式传感器 一、光敏电阻(光导管) 半导体材料受到光照时会产生电子-空穴对,使其导电性能增强 ,光线越强、阻值越低。响应时间2-50ms,无光照射为暗电阻、一般为兆欧级。受光照射时阻值为亮电阻,一般几千欧。 光敏电阻的光照特性是非线性的,不适宜做检测光通量变化的元件。 4-6 光电式传感器 二 光电池 直接将光能转换为电能的光电元件,在P-N结电场的作用下,电子被推向N 区,空穴被拉向P区,结果P区带正电,N区带负电。 用于光电池的半导体材料有锗\硒\硫化镉等多种。目前应用最广的是硅光电池。其性能稳定,光谱范围宽,频率特性好,用于检测可见光的强弱。 4-6 光电式传感器 三 光敏晶体管 一个PN结为光敏二极管,两个PN结为光敏三极管 光通过透镜照射在光敏二极管上,由于产生光生载流子,因而在一定的反向偏压下,光敏二极管的反向电流要比没有光照时大几十倍到几千倍,因此有较大的光电流。光
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