场效应管放大电路-模电讲义.pptVIP

4 场效应管放大电路 ? 场效应管是以半导体中的多数载流子实现导电的，因此，又叫做单极型晶体管。属电压控制器件。 ? 按结构的不同分结型场效应管（JFET) 和 金属-氧化物-半导体场效应管（MOS) 两大类。 4. 1 结型场效应管 4. 1. 1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 结型场效应管(JFET)，分为N沟道和P沟道两种。结构和电路符号如图4.1.1和 图4.1.2 所示。 2. 工作原理 由于两种管子的工作原理相同，下面以 N沟道为例分析其工作原理。 ? N 沟道JFET工作时，在栅极与源极之间需加一负电压 （ vGS 0 ），使栅极、沟道间的 PN 结反偏，栅极电 流 iG ? 0 ，输入电阻很高（ 107 ?）。 在漏极与源极之间加一正电压（ vDS 0 ） ，使 N 沟道中的多数载流子（电子）在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流 iD 。 iD 的大小受vGS 控制 。 因此，讨论 JFET 的工作原理就是讨论vGS 对 iD 的控制作用和 vDS 对iD的影响。 (1) vGS 对 iD 的控制作用 (2) vDS 对 iD 的影响 首先从 vGS=0 开始讨论。 a) vDS=0, iD =0 b) 0 vDS|vP| , iD?0 并随vDS 增加而增大 。 但近漏端沟道随vDS 增加变窄。 c) vDS=|vP| , 近漏端沟道 夹断称为预夹断， iD =IDSS 。 d) vDS|vP| , iD =IDSS 近漏端沟道夹断区增加。 ? G、S 间加负电压，耗尽 层加宽，导电沟道变窄；D 、S 间加正电压，导电沟道 变得不等宽。根据 vGD= vGS? vDS=VP 可知， vGS 越负，发生预夹断所需的 vDS 就越小。相反，在同样的 vDS 作用下，vGS越负，耗尽层越宽，沟道电阻越大，漏极电流 iD 就 越小，iD 随vDS变化曲线下移，图.1.5(b)示出了不同 vGS下，所 得的 iD~vDS曲线。vGS 越负，iD 越小，体现了栅源电压 vGS对漏 极电流 iD 的控制作用。 综上分析，可得如下结论： ? JFET 栅极、沟道之间的 PN 结是反向偏置的，因此 ，输入电阻很高。 ? JFET是电压控制电流器件， iD 受 vGS 控制。 ? 预夹断前， iD 与 vDS 呈近似线性关系；预夹断后， iD 趋于饱和 , 其大小仅随 vGS 变化。 ? P 沟道 JFET工作时，其电源极性与 N 沟道 JFET的电源极性相反。 4. 1 .2 特性曲线及参数 1 输出特性 分为四个区： I 区： 可变电阻区 沟道电阻受栅源电压控制。 II区：恒流区或饱和区， 也称为线性放大区。 III区：击穿区 （V(BR)DS ） IV区：截止区， VGS VP , iD =0 3. 主要参数 (1) 夹断电压VP 其定义前面已经提到，绝对值在2~10V之间。 (2) 饱和漏极电流 IDSS 其定义前面已经提到，数值在0.3~15mA之间。 (3) 最高漏源电压 V(BR)DS 指击穿前漏源之间能加的电压最大(绝对)值。小功率管一般为二三十伏，大功率管可达几百伏。 (4) 最高栅源电压V(BR)GS 指击穿前栅源之间能加的电压最大(绝对)值。 (5) 低频跨导 gm 它的定义是 (6) 输出电阻 rd 在放大区内，其值很大，一般在几十千欧到几百千欧之 间。 (7) 最大耗散功率 PDM 其定义同晶体管，小功率管为100~200mW，大功率管可达百瓦以上。 (8) 噪声系数 NF 其定义与晶体管相同。一般的场效应管其NF值为5dB以下。优质场效应管的NF值可低于1dB，且工作频率可高达几万兆赫，常用于卫星接收系统的前置放大级 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 ? MOSFET 利用半导体表面电场效应进行工作的，也称为表面场效应器件。 ? 栅极是绝缘的，输入电阻很高。 ? 有 N 沟道和 P 沟道两类。 增强型（ VGS =0 时， 没有导电沟道，iD =0） 耗尽型 （ VGS =0 时，存在导电沟道， iD ? 0 ） 4.3. 1 N沟道增强型MOSFE