器件设计技术.pptxVIP

第三讲 器件设计技术1 引言 集成电路按其制造材料分为两大类：一类是Si（硅），另一类是GaAs（砷化镓）。目前用于ASIC设计的主体是硅材料。但是，在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成的集成电路，可以大大提高电路速度，但是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因，所以未能大量采用。双极型工艺 ECL/CML（ Emitter Coupled Logic/Current Mode Logic） ： 射极耦合逻辑/电流型开关逻辑 TTL：Transistor Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑 I2L：Integrated Injection Logic 集成注入逻辑MOS 工艺 NMOS、PMOS： MNOS：Metal Nitride（氮） Oxide Semiconductor (E)NMOS与(D)NMOS组成的单元 CMOS: Metal Gate CMOS HSCMOS：High Speed CMOS （硅栅CMOS） CMOS/SOS：Silicon on Sapphire（兰宝石上CMOS，提高抗辐射能力） VMOS：Vertical CMOS（垂直结构 CMOS提高密度及避免Latch-Up效应）GaAs集成电路 GaAs这类Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中载流子的迁移率比硅中载流子的迁移率高，通常比掺杂硅要高出