本征GaAs量子阱中电子自旋扩散输运的时_空分辨吸收光谱研究.docVIP

第58卷第5期2009年5月100023290Π2009Π58(05)Π3543205 物　理　学　报 ACTAPHYSICASINICA Vol.58,No.5,May,2009 ν2009Chin.Phys.Soc. 本征GaAs量子阱中电子自旋扩散输运的 3 时2空分辨吸收光谱研究 余华梁　张秀敏　滕利华　文锦辉　林位株　赖天树 (2008年9月23日收到;2008年11月12日收到修改稿) (中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程学院,广州　510275) 　　发展了一种时2空分辨圆偏振光抽运2探测光谱及其理论,aAs研究.获得室温下本征GaAs量子阱中的“as此结果比用自旋光栅法测量到 的掺杂GaAs.效应减慢了电子自旋波包的扩散输运. 关键词:时2,GaAs量子阱 PACC:,Ds小于四探针法测量的电子扩散系数De,但与 11引言 Cameron等人在室温下测量的Ds一致,认为是“自 自旋电子器件受到广泛关注和研究,因为它具有低功耗、体积小和速度快等优点,在量子信息存储和处理方面具有潜在的广泛应用价值.这些应用均涉及电子自旋的空间传递,即输运,要求自旋极化具有足够的输运尺度.因而,研究半导体中自旋输运不仅具有科学意义,而且更具有重要的应用价值.然而,由于自旋输运问题的复杂性,国际上对它的理论和实验研究报道均不多.GaAs量子阱是制做高效率发光器件的重要材料