《常用半导体器件4target=_blank》-公开课件.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数:温度每变化1度稳压值的变化量——?VZ= ?VZ /?T 2. 稳压二极管主要参数 3. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ # 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax # 不加R可以吗？ 1.3 双极型晶体管 双极型晶体管（BJT）又称晶体三极管、半导体三极管，简称晶体管。 1、晶体管的结构及类型 晶体管的结构示意图 晶体管的符号 构成：三个区、三个极、两个结 2.晶体管内部载流子的运动 1).发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 2）扩散到基区的自由电子与孔穴的复合运动形成基极电流IB 3）集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC 2、晶体管的电流分配关系 IE=IEN+IEP=ICN+IBN+IEP IC=ICN+ICBO IB=IBN+IEP-ICBO =IB，-ICBO 又：IE=IC+IB 晶体管的共射电流放大系数 1）定义： 共射直流电流放大系数 2）定义： 共射交流电流放大系数 容易证明： ? 是一个电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 3）定义： 共基直流电流放大系数 4）定义： 共基交流电流放大系数 容易证明： 或 ? 为另一个电流放大系数，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 三极管电路的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 三极管的电流分配与放大原理 3、晶体管的共射特性曲线 1.输入特性曲线 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当1vCE0V时， 集电结反偏，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (3) 当vCE1V时，集电结的反向电场已经足够强，ic不会明显增加，ib也基本不变。曲线不再右移。 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE vCE = 0V vCE ? 1V 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压，集电结反偏。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 4 BJT的主要参数 (1)共发射极直流电流放大系数 ≈IC / IB ? vCE=const 1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const 1. 电流放大系数 (3) 共基极直流电流放大系数 ≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 1. 电流放大系数 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 2. 极间反向电流 ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 3. 极限参数