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- 2019-12-28 发布于江苏
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半导体
集成电路;上节课内容要点;p;P-Si;E;相关知识点;本节课内容;MOS晶体管的动作 ;silicon substrate;在硅衬底上制作MOS晶体管;silicon substrate;silicon substrate;Shadow on photoresist;非感光区域;Shadow on photoresist;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;自对准工艺;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;完整的简单MOS晶体管结构;CMOSFET;主要的CMOS工艺;掩膜1: P阱光刻;具体步骤如下:
1.生长二氧化硅(湿法氧化):;氧 化;2.P阱光刻:;Date;硼掺杂(离子注入);Date;离子源;掩膜2: 光刻有源区;有源区;P-well;P-well;掩膜3: 光刻多晶硅;P-well;掩膜4 :P+区光刻
;P-well;掩膜5 :N+区光刻
;P-well;掩膜6 :光刻接触孔;掩膜6 :光刻接触孔
;Date;掩膜7 :光刻铝线;P-well;Example: Intel 0.25 micron Process;Interconnect Impact on Chip;掩膜8 :刻钝化孔;双阱标准CMOS工艺;p-epi;功耗;BiCMOS工艺分类;以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺;以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺; ;三、后部封装 (在另外厂房)
(1)背面减薄
(2)切片
(3)粘片
(4)压焊:金丝球焊
(5)切筋
(6)整形
(7)所封
(8)沾锡:保证管脚的电学接触
(9)老化
(10)成测
(11)打印、包装;
;三、后部封装 (在另外厂房);Date;作业:
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