《半导体工艺第二讲2和4-6章》-公开课件.pptVIP

吸杂三步骤： 杂质元素从原有陷阱中被释放，成为可动原子 杂质元素扩散到吸杂中心 杂质元素被吸杂中心俘获 碱金属离子的吸杂： PSG——可以束缚碱金属离子成为稳定的化合物 超过室温的条件下，碱金属离子即可扩散进入PSG 超净工艺＋Si3N4钝化保护——抵挡碱金属离子的进入 其他金属离子的吸杂： 本征吸杂—— 使硅表面10－20mm范围内氧原子扩散到体硅内，而硅表面的氧原子浓度降低至10ppm以下。利用体硅中的SiO2的凝结成为吸杂中心。 非本征吸杂——利用在硅片背面形成损伤或生长一层多晶硅，制造缺陷成为吸杂中心。在器件制作过程中的一些高温处理步骤，吸杂自动完成。 硅的晶向和晶面 晶向：〈100〉，〈110〉，〈111〉，…… 晶面：（100），（110），（111），…… 晶体的许多性质与晶向、晶面有关 硅晶向上的原子线密度？ 〈100〉 〈110〉 〈111〉 硅晶面上的原子面密度？ （100） （110） （111） 沿（100）晶面 沿（110）晶面 沿（111）晶面 {111}晶面特点 {111}双层密排面本身结合牢固，双层密排面之间结合脆弱，易从{111}解理 {111}化学腐蚀的速率慢 {111}双层密排之间容易产生缺陷 {111}晶体表面成为{111}晶面的趋势 〈100〉硅的各向异性腐蚀 * * * * * * * * * * * * 半导体制造中常用的酸 半导体制造中常用的碱 半导体制造过程中常用的溶剂 通用气体 惰性 还原性 氧化性 特种气体的分类 气体类别 气体 符号 用途 氢化物 硅烷 SiH4 气体淀积工艺的硅源 砷化氢 AsH3 N型硅片离子注入的砷源 磷化氢 PH3 N型硅片离子注入的磷源 乙硼烷 B2H6 P型硅片离子注入的硼源 原硅酸四乙酯（TEOS） Si（OC2H5） 气相淀积工艺的二氧化硅源 四氯化硅 SiCl4 气相淀积工艺的硅源 二氯硅烷（DCS） SiH2Cl2 气相淀积工艺的硅源 氟化物 三氟化氮 NF3 等离子刻蚀工艺中的氟离子源 六氟化钨 WF6 金属淀积工艺的钨源 四氟甲烷 C2F4 等离子刻蚀工艺中的氟离子源 四氟化碳 CF4 等离子刻蚀工艺中的氟离子源 四氟化硅 SiF4 淀积、注入和刻蚀工艺中的硅和氟离子源 三氟化氯 ClF3 工艺腔清洁气体 特种气体的分类 气体类别 气体 符号 用途 酸性气体 三氟化硼 BF3 P型硅片离子注入的硼源 氯气 Cl2 金属刻蚀中所用氯的来源 三氯化硼 BCl3 P型硅片离子注入的硼源和金属刻蚀中所用氯的来源 氯化氢 HCl 工艺腔体清洁气体和去污剂 其他 氨气 NH3 工艺气体用来和SiH2Cl2反应生成淀积所用的SiN3 笑气（一氧化氮） N2O 与硅反应生成二氧化硅的氧源 一氧化碳 CO 用在刻蚀工艺中 实验室净化和硅片清洗 净化的三个层次：环境、硅片清洗、吸杂 净化级别 高效净化 净化的必要性 器件：少子寿命?，VT改变，Ion? Ioff?，栅击穿电压?，可靠性? 电路：产率?，电路性能? 杂质种类：颗粒、有机物、金属、天然氧化层 主要内容 Contaminants may consist of particles, organic films (photoresist), heavy metals or alkali ions. 硅片中的杂质来源 颗粒粘附 所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。 颗粒来源： 空气 人体 设备 化学品 超级净化空气 风淋吹扫、防护服、面罩、手套等，机器手/人 特殊设计及材料 定期清洗 超纯化学品 去离子水 各种可能落在芯片表面的颗粒 * 粒子附着的机理：静电力，范德华力，化学键等 去除的机理有四种： 1氧化分解 2溶解 3对硅片表面轻微的腐蚀去除 4 粒子和硅片表面的电排斥 去除方法：SC-1, megasonic（超声清洗） 金属的玷污 来源：化学试剂，离子注入、反应离子刻蚀等工艺 量级：1010原子/cm2 影响： 在界面形成缺陷，影响器件性能，成品率下降 增加p-n结的漏电流，减少少数载流子的寿命 Fe, Cu, Ni, Cr, W, Ti… Na, K, Li… 金属杂质沉淀到硅表面的机理 通过金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换，和硅结合。（难以去除） 氧化时发生：硅在氧化时，杂质会进入 去除方法：使金属原子氧化变成可溶性离子 M Mz+ + z e- 去除溶液：SC-1, SC-2（H2O2：强氧化剂） 还原 氧化 有机物的玷污 来源： 环境中的有机蒸汽 存储容器 光刻胶的残留物 去