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E E E D(E) D(E) D(E) Modification of density of states by confining carriers Bulk QW QD 3D 2D 0D D(E) E D(E) E E D(E) 低维半导体材料及其状态密度 双异质结间的单量子阱结构 双异质结间的单量子阱结构 势阱形状： 波函数分离变量： 波函数分离变量： 薛定谔方程： 双异质结间的单量子阱结构 势阱外波函数： 势阱内波函数： 势阱内波函数的宇称： 势阱内波函数： 能量本征值： 双势垒单量子阱结构及其共振隧穿效应 半导体超晶格 分子束外延生长低维半导体材料： 半导体超晶格 在量子阱中，电子的势垒由势阱和势垒材料的导带不连续提供，空穴的势垒由两种材料价带的不连续提供。 量子化能级的间距与势阱的厚度成反比。 在超晶格中，电子迷你带的宽度大于空穴迷你带的宽度（？）。 半导体超晶格 由于迷你带的形成，超晶格的发光波长相对于量子阱的发光波长发生一个红移。 在I型超晶格中，电子和空穴被束缚在同种材料中。 在II型超晶格中，电子和空穴被束缚在不同材料中。 半导体激光器 单异质结激光器 时间：1969年第一次制成。 方法：液相外延。 结构：在GaAs pn结上再生长一层p型AlGaAs. 优点：阈值低，效率高。 阈值电流密度：10-15 ? 103 A/cm2,小于同质结激光器。 原因：注入的