气相沉积技的术应用.ppt

* 低压CVD装置 （LPCVD ） 低压CVD装置：在显著低于0.1MPa的压力下工作的CVD装置，一般P在100Pa左右。 低压CVD装置：利用降低工作室气压，可以提高反应气体和反应产物通过边界层扩散能力的原理。在低压CVD装置中，为了部分抵消压力降低的影响。通常采用提高反应气体在总量中的浓度比的方法，来大大提高薄膜的沉积速率。 * 与常压CVD相比，低压CVD 特点： 反应气体的扩散系数D提高了约3个数量级 气体的流速V0提高了1-2个数量级。 衬底垂直是为了降低颗粒物污染的几率 * 低压CVD优点： 沉积速率高； 厚度均匀性好、气相形核引起颗粒污染的几率小、薄膜较为致密； 低压条件下气体分子的平均自由程较长，衬底可以排列的更密集。 三、等离子体增强化学气相沉积(PECVD) PECVD：Plasma Enhanced CVD 在低压化学气相沉积过程进行的同时，利用辉光放电等离子体对沉积过程施加影响的技术。它包括了化学气相沉积的一般技术，又有辉光放电的强化作用。 工作气压大约为5-500Pa，等离子中电子温度高(104-105K)，显著提高反应气体的活性，大大降低反应温度。 等离子体的作用：激活、加速、溅射、碰撞 PECVD的优点： 降低成膜温度 提高膜基附着力 提高膜厚及薄膜质量 扩大CVD的应用范围 * * 属于低压CVD沉积。 利用辉光放电等离子体来促进反应活性基因的生成。因而显著地降低薄膜的沉积温度，使原来要在高温、进行的反应过程得以在低温实现。 PECVD技术的两个特点 ： 等离子体中电子与气体分子碰撞促进气体分子的分解、化合和 激化等过程的进行来实现的 * PECVD过程发生的微观过程： 气体分子与等离子体中的电子碰撞，产生活性基团和离子。 活性基团直接扩散到衬底。 活性基团也可以与其他气体分子或活性基团发生相互作用，进而形成沉积所需要的化学基团。 沉积所需要的化学基团扩散到衬底表面。 气体分子也可能没有经过上述活化过程而直接扩散到衬底附近。 气体分子被直接排除到系统之外。 到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反应并释放出反应产物。 * PECVD装置分类（等离子体产生方式）： 二极直流辉光放电PECVD 射频电容或电感耦合PECVD 微波辅助PECVD * 二极直流辉光放电PECVD DC-PCVD是利用高压直流负偏压（-1～-5kV），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。 特点：直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，受其形状、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极附近压降最大，电场强度最高，正因为有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。 * 射频电容或电感耦合PECVD 电容耦合和电感耦合 用于制备绝缘介质薄膜。 * 直流和射频二极辉光放电的缺点： 都使用电极将能量耦合到等离子体中，故电极表面会产生较高的鞘层电位，在鞘层电位作用下离子高速撞击衬底和阴极这样会对薄膜造成污染。 在功率较高、等离子体密度大的情况下，辉光放电会转变为弧光放电，损坏放电电极。 * 3. 微波辅助PECVD 原理：使用波导或微波天线两种方式将微波能量耦合至CVD装置中的等离子体中。 使用的微波频率：2.45GHz（对应波长12cm） 特点：微波等离子体的特点是能量大，活性强。激发的亚稳态原子多，化学反应容易进行，是一种很有发展前途、用途广泛的新工艺。 * 原理：微波天线将微波能量耦合至谐振腔中之后，在谐振腔内将形成微波电场的驻波，引起谐振现象。在谐振腔中心，微波电场幅值最大。在此处的石英管中输入一定压力的反应气体，当微波电场强度超过气体击穿场强时气体放电击穿，产生相应的等离子体。在等离子体中放置衬底调节温度即可实现CVD沉积。 * CVD与PVD方法比较： 项目 PVD CVD 物质源 生成膜物质的蒸气，反应气体 含有生成膜元素化合物蒸气，反应气体等 激活方法 消耗蒸发热、电离等 提供激活能、高温、化学自由能 制备温度 250℃～2000℃（蒸发原） 25℃～合适温度（基片） 150℃～2000℃（基片） 成膜速率 20-250um/h 25～1500um/h 用途 装饰、电子材料、光学 材料精制，表面保护、电子材料 可制备的薄膜材料 所有固体（C、Ta、W）困难，卤化物和热稳定化合物。 碱及碱土类以外的金属（Ag、Au困难），碳化物、氮化物、氧化物 思考题： 对比PVD和CVD法中的薄膜生成过程(阶段)。 简述CVD的沉积条件。 简述CVD法的特点。 * 学科交叉、技术的关联