《集成电路制造中的腐蚀工艺》.docVIP

集成电路制造中的腐蚀工艺 摘要：在集成电路制造过程中，需要光刻工艺将光刻版上的图形复制到硅片上，而腐蚀工艺则是通过光刻胶来做保护，最后完成图形复制的任务。腐蚀结果的好坏会直接影响到硅片上的图形，这些图形则最终会在电路制作完成后对电路造成不同程度的影响。对于不同的材料，腐蚀工艺需要根据不同的腐蚀结果选取不同的腐蚀液或腐蚀气体，并通过大量的实验得到最佳的腐蚀结果。文章结合实际工作经验对在常规集成电路制造过程中的的几种材料在腐蚀工序的腐蚀做了简要的说明分析，对易出现的问题进行解决。 关键词：湿法腐蚀；干法腐蚀；等离子腐蚀；铝腐蚀 Etching for Integrated Circuit MA Hong-jiang The 47th Research Institute of China Electronics TechnologyGroup,Shenyang,110032,China Abstract: We need put the pattern on the wafer through Photolithography ,but finally pattern will be keep down through Etch in IC manufacture .Result of etching will affect the pattern on the wafer ,finally all those factor will affect the circuit function after IC is finished .We need do enough experiment to decide the best way to etch different material by using different etchant or gas for etching .This article analyses the result of different material in etching process in normal IC manufacture ,and it afford many method to solve so many questions that those are occurred easily in etching . Keywords : Wet Etch；Dry Etch ；Plasma Etch；Al Etch 引言 在集成电路的制造过程中，腐蚀工艺占有极其重要的地位。制造工艺中的光刻工艺是把需要的图形复制到硅片表面，但这样的图形只是光刻胶的图形，而光刻胶并不能担负起在硅片上留下最终图形的任务，这只能通过其后的腐蚀工艺来完成。腐蚀使用适当的腐蚀液或腐蚀气体将无光刻胶膜覆盖的衬底材料腐蚀掉，而有光刻胶覆盖的区域保存下来。因此所用的腐蚀液或腐蚀气体既能腐蚀掉裸露的衬底表面材料，又能保持对光刻胶很小的腐蚀程度，只有这样才能把所需的图形准确地刻蚀出来，达到将图形永久转移到硅片上的任务。刻蚀工艺的正确进行是很关键的，否则芯片将不能工作。更重要的是，一旦材料被刻蚀去掉，在刻蚀工程中所犯的错误将难以纠正。不正确刻蚀的硅片就只能报废，给硅片制造公司带来损失。【1】 腐蚀工艺主要分为两大类：湿法腐蚀和干法腐蚀。湿法腐蚀是指使用液体刻蚀剂为主要媒体的刻蚀技术，晶圆需要液体化学品或冲洗。干法腐蚀是指以气体为主要媒体的刻蚀技术，晶圆不需要液体化学品或冲洗。 评价腐蚀工艺的主要参数有不完全刻蚀、过刻蚀、钻蚀、选择比和侧边的各向异性/各向同性刻蚀。【2】 以下将以湿法和干法以及腐蚀不同的材料分别来介绍集成电路制造中的腐蚀工艺。 1 湿法腐蚀 湿法腐蚀是采用较早的硅片腐蚀技术。其过程是将硅片浸没于装有刻蚀剂的槽中，通过腐蚀液与被腐蚀材料的化学反应来去掉衬底材料，达到将图形留到硅片上的任务。湿法腐蚀是一种各向同性的腐蚀方法。现在的集成电路制造过程中湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下（大于3um）。另外湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上的某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。 在目前的集成电路制造过程中，湿法腐蚀主要应用于硅湿法腐蚀、二氧化硅湿法腐蚀、铝膜湿法腐蚀、氮化硅湿法腐蚀。 1.1硅湿法腐蚀 典型的硅腐蚀是用含氮的物质与氢氟酸的混合水溶液。这一配比规则在控制腐蚀中成为一个重要的因素。在我所的工艺线中，硅的腐蚀即是背面腐蚀目的是消除硅片在减薄后所产生的应力及硅渣。腐蚀温度会对腐蚀效果产生很大的影响，所以腐蚀液配置后需放置一段时间恢复至室温方可使用。 而一些器件要求在晶圆上腐蚀出槽或沟。腐蚀配方要进行调整以使腐蚀速率依靠硅片的取向。111取向的硅片以45°角100取向的硅片以“平”底腐蚀。【3】 1.2氧化化硅湿法