《第15讲 存储器组成、存储器工作原理》.pptVIP

存储器组成、工作原理-学习目标 (1) 了解半导体存储器的基本特性及其在 PC 中的主要应用。 (2) 掌握主存储器管理的工作原理及与内存条的组成形式、使用及选购等相关的知识,包括:DRAM 的内部结构及工作原理、提高DRAM读/写速度的几种技术、内存的奇偶校验与 ECC内存、内存条的组成形式与使用场合等。 (3)了解与PC机中高速缓冲存储器Cache相关的知识,包括:Cache的作用及种类、Cache的工作原理与特点等。 3.4内储器 3.4.1 PC中常用的半导体内储器类型 半导体存储器芯片按照是否能随机地进行读写 , 分为 随机存取存储器 (Random Access Memory, RAM) 和只读存储器 (Read Only Memory, ROM) 两大类 1.随机存取存储器 (RAM) 1按保存数据的机理分为动态DRAM和静态SRAM (1) DRAM电路简单、集成度高、功耗低、成本较低,适合作内存储器的主体部分。DRAM 是靠 MOS电路中栅极电容上电荷来记忆信息，由于电容上的电荷会泄漏,为防止数据丢失,需定时给电容上的电荷进行补充。DRAM 必须在一定的时间间隔(约2ms)内将数据读出并再写人,这一过程称为DRAM 的刷新 (2) SRAM利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示1和0, 以达到保存和记忆信息的目的。SRAM 存储数据时只有在执行写命令时才发生刷新操作。主要特点是:工作速度快、不需要刷新电路、 因此使用简单。在读出时不会破坏原来存放的信息 2. 只读存储器 ROM DRAM 、SRAM, 当关机或断电时 , 其中的信息都将随之丢失。ROM是一种能够永久或半永久性地保存数据的存储器,即使掉电 ( 或关机 )后 , 存放在ROM中的数据也不会丢失, 因此, 常被看作非易失性存储器。按照ROM的内容是否(或怎样)改写,ROM 可分为以下几类 (1)Mask ROM(掩膜ROM或固化ROM)这类ROM中的信息是由厂家在生产过程中一次形成的, 即 ROM 中的内容已经固化,用户无法进行修改。这类 RAM 适用于大批量生产 (2) PROM (Programmable ROM,可编程 ROM)PROM 中的内容在使用前由专用设备一次写入,以后不能改变。 (3) EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程 ROM)EPROM 和前两种ROM的不同点在于ROM中的内容可以用特殊的装置擦除和重写。一般是将该芯片在紫外线下照射15-20 分钟左右以擦除其中的内容,然后用专用设备(如EPROM 写入器) 将信息重新写入。一旦写入则相对固定。在 Flash ROM 大量应用之前, EPROM 常用于软件的开发过程中。 (4) EEPROM(电可擦除编程ROM) 通过给定一定的电压或电流来擦除信息，然后重新写入。 (5) Flash ROM是一种新型的非易失性存储器, 其中的内容或数据既不像RAM一样需要电源支持才能保存,但又像RAM一样具有可写性。在某种低电压下,其内部信息可读不可写,这时类似于ROM。 Flash ROM在较高的电压下,其内部信息可以更改和删除 类似于RAM。Flash ROM 可以用软件在PC中改写或在线写入,信息一旦写入即相对固定。 Flash ROM 由于其单片存储容量大, 易于修改,因此,在PC 机中用于存储主板BIOS程序。另外,也常用于数码相机和优盘中。 半导体存储器类型小结 半 导 体 存 储 器 只读 存储器 ROM 随机读写 存储器 RAM 掩膜 ROM 可编程 ROM （ PROM ） 可擦除 ROM （ EPPROM ） 电擦除 ROM （ EE PROM ） 静态 RAM （ SRAM ） 动态 RAM （ DRAM ） 闪烁存储器 Flash ROM 3.3.2主存储器的工作原理 PC 中的主存储器由DRAM组成,由于DRAM的速度较慢,需采用相应的 DRAM的访问与控制技术以改善其性能 为提高 DRAM 芯片的集成度 , 减少芯片的引脚数目 ,DRAM 芯片的地址线是分时复用的: 全部地址宽度分为行地址和列地址两部分。一般地 , 行地址占高位地址 , 列地址占低位地址。与行、列地址相对 应 ,DRAM 芯片内部的存储单元组成一个方阵 , 同一芯片的每个存储单元存储信息的 位数相同。 根据芯片型号的不同 , 有些芯片的存储单元存储 1 位信息 , 有些是 4 位的 , 有些是 8 位的等等。 1.DRAM的内部结构及工作原理 μ PD424256 的 DRAM 芯片的内部结构及读 / 写控制 μPD424256 的容量为256Kx4