数字电子技术3.3+双极型三极管.pptVIP

共基极直流电流放大系数在V cb为一定值的时候： 它表示了集电极电流I c和发射极电流I e之间的比例关系。和之间的关系为： (3.3.15) (3.3.16) 2．交流参数 （1）交流电流放大系数 交流电流放大系数也包括共发射极交流放大系数和共基极交流电流放大系数。三极管在共发射极接法时，保持输出端电压V ce不变，基极电流I b变化ΔI b的时候，在输出特性曲线上可以得到集电极电流I c的变化ΔI c，定义共发射极交流电流放大系数为： (3.3.17) 将三极管接成共基极接法时，保持输出端电压V cb不变，集电极电流的变化ΔI c与发射极电流的变化ΔI e之比，定义为共基极交流电流放大系数，即： （2）特征频率 在交流电路中，三极管的除了和工作电流有关之外，还和工作频率有关。由于三极管中两个PN结的结 (3.3.18) 电容的容抗随信号频率的增高而明显减小，也将下降，定义值下降到1时的频率为特征频率fT。 3．极限参数 （1）反向击穿电压 三极管的两个PN结在反向偏置的时候，反向电压超过规定值的时候，会发生击穿现象，反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图3.3.6所示。 图3.3.6反向击穿电压的测试电路 发射极开路时的集电结击穿电压为V(BR)CBO（BR表示击穿的意思），它通常为几十伏，也有可达几百伏的高压管； 集电极开路时发射结的击穿电压为V(BR)EBO，它通常为几伏～十几伏； 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压为V(BR)CEO；V(BR)CER表示基极和发射极之间接有电阻，V(BR)CES表示基极和发射极之间是短路的，几个击穿电压在大小上有如下关系： 半导体二极管可以对电信号进行整流，在电子电路中用来设计开关电路，组成各种逻辑电路。 晶体管作为多功能的半导体器件，可以和其他的电子元件连接，实现放大电流、放大电压和放大功率的作用，被称为有源器件，二极管被称为无源器件。 晶体管的类型有最基本的三种，即双极型三极管（又称为双极型晶体管或者三极管）、金属－氧化物－半导体 场效应管和结型场效应管，双极型三极管其导电过程中涉及到电子和空穴两种载流子，是“双极”型，这也是三极管前面加“双极”的原因； 而场效应管（包括金属－氧化物－半导体场效应管和结型场效应管）只涉及一种载流子，是“单极”型。 3.3.1双极型三极管的结构与类型 双极型三极管的基本结构是由两个相距很近的PN结组成，有三个掺杂不同的扩散区，它有两种类型：NPN型和PNP型。 NPN型晶体管的第一个N区称为发射区，由此引出的电极为发射极，用E或e表示（Emitter）； 中间的P区称为基区，引出的电极称为基极，用B或b表示（Base）； 第二个N区称为集电区，引出的电极称为集电极，用C或c表示（Collector）。 PNP型晶体管发射区为第一个P区，对应的电极为发射极； 基区为中间的N区，对应的电极为基极； 集电区为第二个P区，对应的电极为集电极。发射区和基区（E-B）间的PN结称为发射结（Je），集电区和基区（C-B）间的PN结称为集电结（Jc）。 图3.3.1(a)、（b）分别是NPN型和PNP型晶体管的基本结构和电路符号，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 （＋＋）号和（＋）号表示通常情况下三个区掺杂浓度的相对大小，前者表示非常重的掺杂，后者表示中等程度的掺杂，掺杂浓度最高的是发射区，集电区掺杂浓度最低。 从外表上看两个N区(或两个P区)是对称的，实际上发射区的面积小，作用是发射载流子，集电结面积大，作用是收集载流子，基区 制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，作用是传输载流子，发射区与集电区的结构不同，不能互换。 （a）NPN型 （b）PNP型 图3.3.1 双极型三极管的结构图和电路符号 正常使用情况下，晶体管的发射结加正向小电压，处于正向偏置状态，收集结加反向大电压，处于反向偏置状态。 3.3.2三极管的电流放大作用 NPN型和PNP型晶体管是互补的器件，下面以NPN型晶体管来具体分析晶体管的基本工作原理以及电流放大作用，PNP型晶体管的分析与此类似。 1．基本工作原理 正常工作状态下的晶体管，发射结加正向偏压，用Ve表示，收集结加反向偏压，表示为Vc，如图3.3.2（a）