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- 2020-01-31 发布于上海
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4 双极结型三极管及放大电路基础4.1 半导体三极管(BJT)4.2 共射极放大电路4.3 图解分析法4.4 小信号模型分析法4.5 放大电路的工作点稳定问题4.6 共集电极电路和共基极电路4.7 放大电路的频率响应4.1 半导体三极管(BJT)4.1.1 BJT的结构简介4.1.2 BJT的电流分配与放大原理4.1.3 BJT的特性曲线4.1.4 BJT的主要参数 半导体三极管的结构示意图如图04.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管4.1.1 BJT的结构简介集电极,用C或c表示(Collector)。 发射极,用E或e表示(Emitter);集电区 发射区基区发射结(Je) 集电结(Jc) 基极,用B或b表示(Base)三极管符号管芯结构剖面图 结构特点:? 发射区的掺杂浓度最高;? 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大;? 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。载流子的传输过程4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 以上看出,三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电,故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。 外部条件:发射结正偏,集电结反偏。1. 内部载流子的传输过程发射区:发射载流
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