工艺仿真工具tsuprem4及器件仿真工具.pptxVIP

第2章  工艺仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI;TSUPREM4简介;TSUPREM4简介;2020/1/1;2020/1/1;2020/1/1;2020/1/1;2020/1/1;2020/1/1;氧化模型选择 ERFC | ERF1 | ERF2 | ERFG ERFC最简单、仿真速度最快，适用于掺杂对氧化速率的 影响可忽略的情况，在结构表面平整或近似平整的条件下 也可用于局部氧化。 ERF1、ERF2是ERFG的子集。 ERFG模型适用于在氮化物覆盖下的硅表面生长氧化层。 氮化物层厚度与衬底表面氧化层厚度相比较，如果氮化物 层厚度较小，则选择ERF1模型；相反，则选择ERF2模型。;VERTICAL |COMPRESS | VISCOELA | VISCOUS VERTICAL模型适用于局部氧化及结构表面平整的氧化，不能用在沟道、多晶硅氧化。 COMPRESS把粘性流动及结构表面晶向变化的因素考 虑在内，但不考虑应力的影响。 VISCOELA用了与COMPRESS相同的弹性系数，与VISCOUS模型相同的粘性系数与应力相关参数，能 计算应力的粗略值。 VISCOUS能够精确地计算应力，但仿真速度很慢。;刻蚀模型;2020/1/1;2020/1/1;2020/1/1;2020/1/1;2020/1/1;命令类型;2020/1/1;COMMENT; SOURCE;2020/1/1;ECHO;DEFINE ; UNDEFINE ; [DX.MAX=n] [DX.MIN=n] [DX.RATIO=n] [LY.SURF=n] [DY.SURF=n] [LY.ACTIV=n] [DY.ACTIV=n] [LY.BOT=n] [DY.BOT=n] [DY.RATIO=n] ;LINE;;;INITIALIZE;LOADFILE用途：从一个保存的文件中读出网格及结果信息。 LOADFILE IN.FILE=c { ( [SCALE=n] [FLIP.Y] ) | TIF };SAVEFILE;STRUCTURE;裁剪、镜像对称当前结构;2020/1/1;2020/1/1;ELECTRODE;DEPOSITION; 格式： DEPOSITION { MATERIAL=c | SILICON | OXIDE | OXYNITRI | NITRIDE | POLYSILI | ALUMINUM | ( PHOTORES [ { POSITIVE | NEGATIVE } ] )} [ IMPURITY=c { I.CONC=n | I.RESIST=n } ] [ANTIMONY=n] [ARSENIC=n] [BORON=n] [PHOSPHOR=n] [ {CONCENTR | RESISTIV} ] THICKNES=n [SPACES=n];2020/1/1;2020/1/1;ETCH（TSUPREM4三种刻蚀方式）;ETCH（TSUPREM4三种刻蚀方式）;ETCH;IMPLANT;格式： IMPLANT DOSE=n ENERGY=n [TILT=n] [ROTATION=n] {IMPURITY=c | ANTIMONY | ARSENIC | BORON | BF2 | PHOSPHOR} [DAMAGE] IMPL.TAB=C|MONTECAR DAMAGE定义点缺陷模型;DIFFUSE;格式： DIFFUSION TIME=n [CONTINUE] [TEMPERAT=n] [ {T.RATE=n | T.FINAL=n} ] [ { DRYO2 | WETO2 | STEAM | N2O | INERT| ( [F.O2=n] [F.H2O=n] [F.N2O=n][F.H2=n] [F.N2=n] [F.HCL=n] )}];EPITAXY;掺杂定义： 淀积厚度、垂直方向网格数目： ; 格式：EPITAXY TIME=n TEMPERAT=n [ {T.RATE=n | T.FINAL=n} ] [IMPURITY=c {I.CONC=n | I.RESIST=n}] [ANTIMONY=n] [ARSENIC=n] [BORON=n] [PHOSPHOR=n] [ {CONCENTR | RESISTIV} ] THICKNES=n