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第一章 基本知识第 三 章 集 成 门 电 路54/74系列54H/74H系列TTL电路54LS/74LS系列HTL电路54AS/74AS系列双极型ECL电路54ALS/74ALS系列IIL电路集成门电路4000系列54HC/74HC系列CMOS电路MOS型54HTC/74HTC系列NMOS电路PMOS电路★ Bi-CMOS型3.1 集成门电路分类一.按工艺结构区分TTL — 晶体管-晶体管逻辑集成电路 (Transistor-Transistor Logic Integrated Circuit , TTL)MOS — 金属氧化物半导体场效应管集成电路 （Metal-Oxide-Semiconductor, MOS） ECL — 射极耦合集成电路 (Emitter Coupled Logic)双极型数字集成门TTL门电路* TTL门电路工作速度高，驱动能力强，是目前应用最广泛的集成门电路。它的主要缺点是功耗大，集成度低。射极耦合逻辑ECL电路* 发射极耦合逻辑电路，也称电流开关型逻辑电路。它是利用运放原理通过晶体管射极耦合实现的门电路。工作速度最高，其平均延迟时间tpd可小至1ns。 这种门电路输出阻抗低，负载能力强，能实现或非及或两种逻辑功能。它的主要缺点是抗干扰能力差，电路功耗大。MOS集成门* MOS逻辑电路是以金属一氧化物一半导体场效应管为基础的集成电路。因管内有一种载流子运动，因而它属于单极型数字集成电路。目前广泛应用的是CMOS电路，它有以下特点：1.CMOS电路由NMOS和PMOS组成，由于MOS管导通内阻比半导体导通内阻大，所以CMOS门比TTL门工作速度低一些。2.由于CMOS电路的互补特性，其高低电平输出阻抗都很低（同NMOS和PMOS比）。 CMOS电路的输入阻抗只取决于输入端保护二极管的 漏电流，其输入阻抗极高，可达10 W以上。在频率不太高的情况下， CMOS电路的扇出能力几乎不受限制。当频率升高时，扇出系数有所降低。3.CMOS电路主要有两个产品系列---CC4000和 C000（与国外CD和MC系列相当）。它们的电源电压允许范围大，CC4000系列为3~18V；C000系列为5~15V。因此它们输出高低电平摆幅大，抗干扰能力强，其噪声容限可达30%VDD，而TTL门的噪声容限只有0.4V。84.CMOS门工作时总是一管导通另一管截止，因而几乎不由电源吸取电流，其功耗极小。当VDD=5V时，CMOS电路的静态功耗分别是：门电路类为2.5~5uW；缓冲器和触发器类为5~20uW；中规模集成电路类为25~100uW。5.CMOS集成电路功耗低，内部发热量小，集成度可大大提高。又由于其电路本身的互补对称结构，当环境温度变化时，其参数有互相补偿作用，因而其温度稳定性好。6.抗辐射能力强，MOS管是多数载流子受控导电器件，射线辐射对多数载流子浓度影响不大。因此CMOS电路特别适用于航天，卫星和核试验条件下工作的装置。7.由于CMOS电路输入阻抗高，容易受静电感应发生击穿，除其电路内部设置保护电路外，在使用和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地良好。CMOS门多余不用输出端不能悬空，应根据需要接电源或接地。二.按集成度（单个芯片所含门的个数）区分：1.小规模集成电路（Small Scale Integration，SSI，100门以下/片）2.中规模集成电路（Medium Scale Integration，MSI，1000门以下/片）3.大规模集成电路（Large Scale Integration，LSI，10000门以下/片）4.超大规模集成电路（Very Large Scale Integration :VLSI,100000门以上/片)PROMPLDPLAPALGALCPLDFPGA三. 根据设计方法和功能定义分类非用户定制 (Non-custom Design IC)全用户定制 (Full-custom Design IC) 半用户定制 (Semi-custom Design IC)3.2 半导体器件的开关特性 一、晶体二极管的开关特性 1、静态特性： 正相导通，相当于开关闭合（外加电压VD 〉门限电压VTH，锗管0.3V，硅管0.7V） 反向截至，相当于开关断开（外加电压VD 〈反相击穿电压VBR） 2、动态开关特性： 反向恢复时间： 开通时间： VccRVO?VVccK1?V00VK开------VO输出高电平，对应“1” 。K合------VO输出低电平，对应“0” 。在数字电路中，对电压值为多少并不重要，只要能判断高低电平即可。半导体二极管器件的开关特性VccVccRVoR ViVo ViKK可用二极管代替Vi 为高电平时，Vo为高电平Vi 为低电平时，Vo为低电平