低噪放声放大器设计.pptxVIP

典型电路晶体管 Q偏置电阻 、 、Q输入匹配网络负载：选频回路负载电阻交流旁路电容 、晶体管、负载部分接入5.3 低噪声放大器设计采用晶体管的等效电路模型设计、分析低噪声放大器电路组成：晶体管、偏置、输入匹配和负载四大部分 （1）分析直流偏置，决定直流工作点，得出对应工作点的参数（2）画出放大器的交流通路图（3）代入晶体管的小信号等效电路及参数， 计算放大器的各项指标① 直流电源是交流地② 大电容（交流旁路电容）短路③ 大电感（扼流圈)开路④ 仅做偏置用的直流电阻可不画分析电路步骤画交流通路图的原则：②代入晶体管 等效电路Q设晶体管为单向传输完整电路① 画交流图大电容短路电源是交流地去掉偏置电流源 和接入系数负载接入系数计算增益（单向传输）①对线圈部分接入 进行折合回路谐振，低噪放工作频率为回路谐振阻抗设LC回路的空载Q为Q0（其中 ）其中( )低噪放回路带宽② 选择回路电抗元件：③ 回路谐振阻抗④ 输出电压 ⑤ 电压增益 增加稳定性——抵消极间电容 的影响添加中和电容注意反馈的极性极间电容的反馈通路中和电容的反馈通路③输入端采用电感 和 组成匹配网络 COCO④输出端采用LC回路选频 电感 （ ）下级输入电容CO⑤偏置为 （偏置电路省略）， 电感 和 同时提供了各管子直流通路 例5.3.1 1GHZ CMOS 低噪声放大器 1. 电路结构：①场效应管M1和 M2、共栅组态②接成双端输入双端输出差动放大器 ⑥ M3 交流短路（作用见后分析） 栅源电容共栅、杂散及分布电容 CP 漏极电容 （包括栅漏电容 ）杂散电容 （包括下级混频器的输入电容） 电路分析画交流通路图(以M1为例）外接电感线圈 L1 栅源电容并联回路谐振频率＝工作频率1GHz杂散及分布电容 CP回路谐振阻抗调节 M1和M2 的偏置电压VG —— 改变 M1 M2 的跨导 gm ，使 =，完成与源阻抗匹配 。共栅极输入阻抗为（1）输入匹配网络调节匹配方法：电感线圈L3漏极电容杂散电容（包括下级输入电容）已知管子电容 和 ，得：（2）输出回路并联谐振回路，谐振于工作频率。2. 性能指标(1) 增益代入MOS管共栅等效电路管子跨导增益负载回路谐振阻抗设线圈L3 的串联损耗电阻是 r 单管增益：外接电感比值 取决于电感的制作方式 芯片内集成电感总输出总输入放大器总增益差分放大器总增益与单管相同电路特点：选频输入输出阻抗变换并联回路带宽？——由两个回路共同决定① 当两个回路Q值相同时设每个回路带宽为BW1称 为缩减因子。（2） 带宽② 当两回路 Q相差很大时带宽取决于 高Q回路——输出回路Q值高放大器噪声源电路变形，将噪声源分裂成两个输出端 折合到输入端：放大器噪声系数 F = 1+ 所以等效输入噪声源（3）放大器噪声差动输出方式——输出电流是M1和M2的输出电流之差抵消非线性失真的偶次谐波扩大了线性范围（4）线性差动输入方式——输入信号动态范围大于单管（5）隔离——增强稳定性不稳定原因——极间电容Cgd 共栅组态——Cgd 没有反馈（6）输出电平调节Cgd 包含在Cd 中目的：与后级直流一致M3工作在可变电阻区调节M3 的栅极偏压VC改变了M3等效电阻改变了输出直流电平⑤负载用 与下级输入电容组成并联回路 例5.3.2 1.9 GHz CMOS 低噪声放大器 电路特点① 对称双端输入双端输出差分形式 ②共源共栅级连电路 ③输入回路串联电感④源极电感负反馈 ⑥有源偏置VDD电源电压VDDM3的电流电阻M3的偏压电阻 阻止M3 的噪声进入 M1电路分析（1）偏置电路M3与M1组成镜象电流源 输入回路方程输入阻抗输入电路代入场效应管等效电路的输入级调节与源阻抗共轭匹配（2）输入阻抗匹配调谐输入回路串联谐振于工作频率为与源阻抗匹配（3）噪声仅考虑由场效应管M1的沟道电阻噪声 Qin为输入回路的有载Q （4）增益M2共源共栅级连、负载LC回路M1L3C（5）线性双端输入和输出差分对结构 扩大线性范围源极采用电感L2负反馈阻抗 （6）隔离共源共栅接连组态——失配法，提供了最佳的输出输入间的隔离度，减少了极间电容 影响 参数 数值 增益 20.7dB 噪声系数 2.4 dB 输入阻抗（ ） -27 dB （在1.894GHz） -2 dBm镜频抑制（在1.5GHz） -10.6 dB 功耗 19.8mW 电源 3.3V低噪放的性能模拟结果工作频率范围：400 ~ 1500