ch01半导体中的电子和空穴解析.pptxVIP

Chapter 1半导体中的电子和空穴1.1 硅的晶体结构晶体结构：金刚石结构每一个原子都有四个与它最临近的原子 密勒指数：确定晶体内晶面和晶向的取向 1.2 电子和空穴的成键模型硅的性质由最外层四个电子（称为价电子）决定当硅原子形成硅单晶时，每个硅原子与四个最近临硅原子共享它们的价电子，形成共价结合。在绝对零度时，所有的电子都被束缚在这些共价键上，电子不能在外电场的作用下自由运动。线表示共价键电子和空穴如果共价键中的电子获得足够的能量，就可以摆脱共价键的束缚，成为在晶体中自由运动的电子。这时在原来的共价键上就留下了一个空位，因为邻键上的电子可以跳过来填补这个空位，从而使空位转移到邻键上去。所以，空位也是可以移动的。这种可以自由移动的空位被称为空穴。半导体就是靠着电子和空穴的移动来导电的。电子和空穴统称为载流子。载流子数目的控制－掺杂电子摆脱共价键所需的能量，在一般情况下，是靠晶体内部原子本身的热运动提供的。常温下，硅里面由于热运动激发价健上电子而产生的电子和空穴很少（约为1010cm-3），它们对硅的导电性影响是十分微小的。室温下半导体的导电性主要由掺入半导体中的微量的杂质（简称掺杂）来决定，这是半导体能够制造各种器件的重要原因。半导体术语中的掺杂是指控制半导体中特殊杂质原子的数量，从而有目的地增加电子或空穴的浓度几乎所有半导体器件的制造中都会控制半导体材料中掺入的杂质数量，通常杂质浓度的范围是（1014～1020）cm-3。纯净的单晶半导体称为本征半导体，掺入微量杂质的半导体叫杂质半导体或非本半征半导体。施主(Donor)掺杂掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提 供导电的电子而本身成为带正电的离子（此过程称为杂质电离），这种杂质称为施主杂质，如 在Si中掺入V族的P 和As。当半导体中掺入施主杂质，并主要靠施主提供的电子导电，这种半导体称为N型半导体。受主(Acceptor)掺杂掺入到半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴而本身成为带负电的离子，这种杂质称为受主杂质。如在 Si中掺入III族的硼(B)元素。当半导体中掺有受主杂质时，主要靠受主提供的空穴导电，这种半导体叫做P型半导体。1.3 载流子的能带模型原子中电子的量子态和能级1s22s22p63s23p2电子做稳恒的运动，具有完全确定的能量，这种稳恒的运动状态称为量子态，相应的能量称为能级。原子中电子能级示意图半导体的能带E原子形成晶体时，晶体中量子态分成由低到高的许多组，每一组包含大量密集的能级，称为能带。能带与能带之间的间隙称为禁带。允带禁带允带禁带允带能带示意图在绝对零度时，电子首先趋于填满最低的能带。被电子填充的能量最高的带称为价带，价带以上的能带是空的，其中最低的空带称为导带。E导带禁带价带禁带能带示意图（T=0K）导带和价带之间的带隙的大小称为禁带宽度，其数值代表从价带顶到导带低的能量差。电子摆脱共价键的过程，从能带上看，就是电子离开价带从而在价带中留下空的能级的量子跃迁过程。量子跃迁的结果是在导带中出现一个电子而在价带出现一个空穴。E导带禁带宽度价带量子跃迁（T≠0K）导带禁带价带能带的简化示意图电子处于导带底空穴处于价带顶动量空间中的能带图间接带隙半导体、直接带隙半导体电离能＝受主能级施主能级杂质能级－用能带模型解释掺杂作用掺杂：在禁带中形成杂质能级施主杂质形成施主能级，施主能级靠近导带受主杂质形成受主能级，受主能级靠近价带杂质电离提供载流子从能带的观点来看，掺杂是我们在能带里放进载流子的手段用能带解释（a）施主杂质（b）受主杂质杂质补偿当一块半导体中同时含有施主和受主杂质时，受主和施主在导电性上会相互抵销，这种现象叫做杂质的“补偿” 。 在有补偿的情况下，决定导电能力的是施主和受主浓度之差。当施主数量超过受主时，半导体就是N型的；反之，若受主数量超过施主，则是P型的。1.4 半导体、 绝缘体和导体 EcTop of conduction band= E9 eVgempty Ec=E1.1 eVgfilledE EEvvc Conductor SiO(Insulator)Si (Semiconductor)2· Totally filled bands and totally empty bands do not allow current flow. (Just as there is no motion of liquid in a totally filled or totally empty bottle.). · Metal conduction band is half-filled.· s than insulators and can be Semiconductors have lower Eg dop