第12章微波混频器设计.ppt

中频阻抗 混频器中频阻抗是中频端口的输出阻抗，是设计中频放大器输入匹配的重要条件。 中频阻抗是中频的函数。 不同的本振功率和直流偏置情况下，中频阻抗会发生很大变化。 一般： 低中频混频器，输出阻抗一般为100～400? 较高中频：50 ? 微波混频器电路 微波混频器电路的要求： 信号功率和本振功率应同时加到混频二极管上，二极管要有直流通路和中频输出通路； 二极管和信号回路应尽可能匹配，以便获得较大的信号功率； 本机振荡器与混频器之间的耦合量应能调节，以便选择合适的工作状态； 中频输出端应能滤掉高频分量（信号和本振）。 例题 12.7 12.6.2 单端二极管混频器 小信号近似（泰勒展开） 下变频 微带单端二极管混频器 基本电路：平面形式 优点：结构简单、制造容易、体积小、质量轻。 缺点：性能较差，应用不多。 λg/4 微带单端二极管混频器 镜频短路单端混频器 λg/4 微带单端二极管混频器 镜频开路单端混频器 λg/2 12.6.3 单端FET混频器 几个FET参量有非线性，gm非线性最强 共源结构的FET栅极负偏压时可产生非线性效应 原理： 栅压接近夹断区，小的正栅压变化导致跨导大改变，形成非线性效应，产生混频。 电路形式 工作原理:P534 12.6.4 平衡混频器 结构： 混合网络 + 两个单口混频器 优点： 噪声系数低、信号动态范围大、本振功率小、无偶数阶产物 电桥作用：（环形桥、分支线定向耦合器和正交场） 输入信号、本振功率平分加到两个混频管，得到充分利用 增加工作带宽 RF端口实现完全匹配（90°） RF-LO完全隔离（180 °） 抑制谐波，减少失真、干扰与损耗 平衡混频器（P535-537） Figure 12-35 Balanced mixer circuits. (a) Using a 90° hybrid. (b) Using a 180° hybrid. 常见电桥 单平衡混频器 本振反相型（1800移相型）混频器：[信号同相（00）] 特点： 尺寸大、本振偶次谐波组合频率无输出、结构复杂。 单平衡混频器 信号反相、本振同相混频器特点： 尺寸小、偶次谐波抵消、避免线路交叉。 信号对本振隔离度高：4和3端口反射的本振功率在1端口抵消。 信号端驻波比差：本振、信号的两管反射在各自输入端口叠加。 Microwave Series 第12章 微波混频器 理解微波混频器的主要性能指标； 掌握微波混频器的分析方法及基本应用； 掌握单端微波二极管和FET混频器结构特点、电路形式和工作原理； 掌握微波平衡混频器的结构特点、电路形式和工作原理； 掌握微波镜像抑制混频器的结构特点、电路形式和工作原理。 微波混频器概述 混频器是微波集成电路收/发系统中必不可少的部件。 无论是微波通信、雷达、遥控、遥感、还是侦察与电子对抗，以及许多微波测量系统，都必须把微波信号用混频器降到中低频来进行处理或将中频信号调制到射频载波进行发射。 混频器必须有三个组成部分：本地振荡器（泵源）、一个或多个非线性器件、滤波器。 微波混频器分类 按非线性器件的不同性质分类：有源和无源混频器。 有源混频器：采用晶体管或场效应管作为非线性器件的混频器。 优点：有混频增益（最大优点）、端口间固有隔离、本振激励功率低、输出压缩点高、动态范围大、伏安特性曲线为平方律、交调干扰小、输入阻抗高、抗镜频干扰能力强。 缺点：噪声较高，电路复杂，需要直流偏置，设计理论比较复杂。 微波混频器分类 无源混频器：采用二极管作为非线性器件的混频器。 “阻性”混频器：混频过程主要由非线性电阻完成。 “参量”混频器：混频过程主要由非线性电容完成。 优点：灵敏度高、结构简单、便于集成化、工作稳定、工作频带宽、动态范围大。 缺点：有一定的混频损耗。 微波混频器概述 混频器研究热点：微波混频器的性能和可靠性对系统影响也很大，因而研究性能优良的微波混频器是改善系统性能、提高系统应用能力的重要方面，多年来一直是研究的热点。 混频器分析方法：随着混频器技术发展，混频器理论研究得到了很大发展，目前多用谐波平衡法和变换矩阵法对混频器进行分析。 微波混频器电路分类 4种基本电路：单端混频器，平衡混频器，双平衡混频器，双双平衡混频器(也称为三平衡混频器)。 单端混频器：电路简单，但噪声高，抑制干扰能力差。 平衡混频器：借助于平衡电桥，可使本振调幅噪声抵消，中频输出功率增强。 双平衡混频器：可以抵消本振引入调幅噪声所产生的中频噪声；在中频输出端口能全部消除本振的偶次频率与信号的偶次频率组成的组合干扰，使组合干扰的频谱密度减小到单管混频器的25％；动态范围大、互调干扰小、工作频带宽。 双双平衡混频器：频带更宽、动态范围和交调抑制更高。 微波混频器发展简介 第一只混频器由Armst