半导体磁阻效应.pptxVIP

霍尔效应 磁阻效应 磁光效应 量子霍尔效应;一种载流子的霍尔效应 载流子在电磁场中的运动 两种载流子的霍尔效应 霍尔效应的应用;1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应” 1980年，德国物理学家冯·克利青发现整数量子霍尔效应。他因此获得1985年诺贝尔物理学奖。 1982年，崔琦、施特默和赫萨德(A.C. Gossard)发现了分数量子霍尔效应，前两者因此与劳赫林(Robert Betts Laughlin)分享了1998年诺贝尔物理学奖。;一种载流子的霍尔效应;霍尔电场Ey与电流密度Jx电和磁感应强度By成正比，即： 比例系数RH为霍尔系数，即： 霍尔系数的单位为：m3C-1;以p型半导体为例，当横向电场对空穴的作用和洛伦兹力平衡时，达到稳定状态，横向霍尔电场满足: 因此霍尔电场Ey ： 霍尔系数RH为： 对于n型半导体，类似的，得到 ;横向霍尔电场的存在说明，在有垂直磁场时，电场和电流不在同一方向，两者之间的夹角称为霍尔角。 霍尔角满足： 对于p型和n型的半导体，霍尔角的符号也不同，p型为正，n型为负。 ;实验中通常通过测量VH 以求得RH, 采用厚度和宽度比长度小得多的样品，如下图所示，得到 所以 注意：霍尔电压还和样品形状有关，表现为 其中 当l/b=4时，