显示与成像技术第一部显示2液晶驱动技术.pptxVIP

3.2 液晶显示器件的驱动技术液晶显示的三个特点：液晶在直流电压作用下会发生电解作用，所以必须用交流驱动，并且限定交流成分中直流分量不大于几十毫伏。液晶透光率的改变只与外加电压的有效值有关。液晶单元是容性负载，正电压和负电压作用效果是一样的。液晶显示器件：段形、 点阵型普通矩阵有源矩阵普通点矩阵（无源矩阵）和有源矩阵无源矩阵：使用简单的网格来给显示屏上的特定像素供电。有源矩阵： 每个像素上配置一个有用器件，每个像素独立控制。普通矩阵液晶显示器件的静态驱动技术直接驱动法：对于无源矩阵液晶显示器件，驱动电压是直接施加于象素电极上的，使液晶显示直接对应于所施加驱动电压信号的一种驱动技术。分为静态驱动和动态驱动。三种静态驱动法：笔段式数码显示棒形模拟显示示波器显示的静态驱动笔段式数码显示LCD基本驅動電路由一個异或門組成 静态驱动原理静态显示不会有亮度、对比度下降和视角变小的 缺点，但是对于一般大容量显示器件却因为它需要极多的外电极而无法实现。占空比：每扫描行电极选通时间与帧周期之比无源矩阵的动态驱动技术：交叉效应：显示中，部分象素的一端与电源相连，处于半选状态。如果外加电压足够高，半选点的象素上的电压有可能超过阈值电压， 出现不希望有的干扰。行列数目越大，交叉效应的影响越显著。1.平均电压法2.最佳偏压法改进方法分割矩阵法多重矩阵法有源矩阵LCD显示有源矩阵液晶显示器件的分类二端有源器件普通矩阵液晶显示屏的扫描行数存在极限的原因之一在于液晶象素的电容性负载，即具有对称性，或双向导通性。如果在象素上串连一个二极管，使象素具有非线性特性，就可突破上述极限。液晶显示器件的光电特性曲线的陡度可表示为：若 非常接近于1时，可以采用这个电路突破TN液晶屏的扫描极限。二极管环寻址矩阵液晶显示器件TFT AMLCD 的分类TFT的工作原理漏源电压栅压Sn-1SnS2S3S1G1ITOG2TFTG3CLCSource 線Gate 線液晶電容儲存電容Gm-1Gmcom面板說明Sn-1SnSn-2S2S3S1G1G2G3Gm-2Gm-1Gm（1）扫描到G1行，该行上的全部FET导通。各列信号电压施加到液晶像素上，并对并联的电容充电。（2）扫描完G1后，G1上全部FET断开，不管以后列上信号如何变化，对为扫描行上的像素都无影响。（消除了交叉效应）（3) 未扫描的G1由于与外界电压切断，信号电压在液晶像素上保持一帧时间TFT元件液晶保持電容加入電壓扫描电压控制(栅极）（1）因TFT元件的动作类似一個开关(Switch)，液晶元件的作用類似一個电容，通过Switch的ON/OFF對电容儲存 的电压值进行更新/保持。（2）SW ON時信号写入(加入、記录)在液晶电容上，在以外時間 SW OFF，可防止信号从液晶电容洩漏。（3）在必要時可將保持电容与液晶电容并联，以改善其保持特性。扫描线G信號線SD液晶保持電容RONROFF 1.上图為TFT一個象素的等效电路图，扫描线連接同一列 所有TFT栅极電极，而信号线連接同一行所有TFT源极 電极。2.當ON時信号线的資料写入液晶电容，此時，TFT元件成 低阻抗(RON)，當OFF時TFT元件成高阻抗(ROFF)，可防 止信号线資料的洩漏。3.一般RON与ROFF電阻比至少約为105以上。高温多晶硅(HTPS)低温多晶硅(LTPS)硅基TFT不同硅材料的I-V特性（漏极电流随删压变化的转移特性）TFT 的要求 开关比105开口率（Aperture?ratio） ：光线能透過的有效區域比例. 1、LCD?source驅動晶片及gate驅動晶片用的信號走線?2、TFT本身,?還有儲存電壓用的儲存電容等等.?這些地方除了不完全透光外,?也由於經過這些地方的光線?並不受到電壓的控制,而無法顯示正確的灰階,?所以都需利用black?matrix加以遮蔽,?以免干擾到其他透光區域的正確亮度. 3.7 背照灯液晶显示器是被动显示器件，本身不会发光，往往工作在透光模式下。因此，为了了获得高对比度与全色显示，需要采用背照明光源。由于背照光源的功率是整个器件的75%以上，因此体积和功率是首先要考此的因素。 图3.7 边光式背光源结构图目前采用的背照光源主要有： 1）热电致发光板EL 2）平板荧光灯（VFD） 3）冷阴极荧光灯（CCF） 4）发光二极管（LED)背光照明系统 4）平板场发射（FED） 5）有机电致发光（OEL）等。 照明方式又分为边光式与背光式两种。1、发光二极管（LCD)背光照明系统可分为底发光式和侧发光式，它由多个LED管芯均匀地分布在PCB板上，各LED为串连，并联或串并联。供电后，LED管芯发光，通过透明硅胶、反射腔和扩散膜的共同作用得到亮度均匀的平面发光效果。2、电致发光背光照明系统电致发光是