半导体工艺（第7章）光刻.pptVIP

腐蚀并去除抗蚀剂 腐蚀 用适当的腐蚀液或等离子体，将未被抗蚀膜保护区域的金属或金属氧化物去除； 腐蚀完后，用适当的溶液或等离子体处理，将抗蚀膜去除干净。 至此，有图形的掩膜版便制备完毕； 光学曝光 对准和曝光 对准： 是把所需图形在晶园表面上定位或对准； 曝光： 通过曝光灯或其他辐射源将图形转移到光刻胶涂层上； 曝光示意图（投影式） 如果说光刻胶是光刻工艺的“材料”核心，那么对准和曝光则是该工艺的“设备”核心； 图形的准确对准是保证器件和电路正常工作的决定性因素之一； 对准系统的性能表现 要把图形在晶圆表面上准确定位（不同的对准机类型的对准系统各不相同，见下图）； 曝光系统（包括一个曝光光源和一个将辐射光线导向到晶园表面上的机械装置）。 对准机的性能指标： 分辨率：机器产生特定尺寸的能力， 分辨率越高越好，机器的性能越好； 套准能力：图形准确定位的能力； 精确对准 对准与曝光系统 最初曝光设备是接触式光刻机和接近式光刻机，而今，光刻机已发展成两大类型，即光学光刻机和非光学光刻机； 光学光刻机采用紫外 线作为光源，而 非光学光刻机的 光源则来自电磁 光谱的其他成分。 曝光光源 普通光源光的波长范围大，图形边缘衍射现象严重，满足不了特征尺寸的要求； 作为晶圆生产用的曝光光源必须是某一单一波长的光源； 光源还必须通过反射镜和透镜，使光源发出的光转化成一束平行光，这样才能保证特征尺寸的要求。 最广泛使用的曝光光源是高压汞灯，它所产生的光为紫外光（UV），为获得更高的清晰度，光刻胶被设计成只与汞灯光谱中很窄一段波长的光（称为深紫外区或DUV）反应。 准分子激光器 X射线 电子束 学习情景四 常州信息职业技术学院 学习情景五：图形加工学习子情景一：光刻 图形加工技术 利用IC设计工具，设计出IC版图，根据版图图形，制备出掩膜版； 利用所加工出来的掩膜版，经过光刻、腐蚀等工艺，在晶片表面加刻蚀出用于扩散、离子注入、金属接触等窗口； 图形加工，就是利用光刻技术，在晶片表面刻蚀出各种窗口； 光刻示意图 光刻工艺的要求 高分辨率 分辨率是光刻精度和清晰度的标志之一； 分辨率：所能加工的最小线宽；线宽越小，分辨率越高； 高灵敏度 灵敏度是指光刻速度。为了提高产量，要求曝光所需要的时间越短越好； 精密的套刻对准 一块集成电路制作需要十多次甚至几十次光刻，每次光刻都要互相套准； 大尺寸硅片的加工 低缺陷 集成电路加工过程中，往往会产生一些缺陷，即使这些缺陷尺寸小于图形的线条宽度，也会使集成电路失效； 缺陷的引入是不可避免的，特别是在光刻工序中，最容易引入缺陷； 光刻三要素 光刻胶 掩膜版 光刻机 光刻胶组成材料及感光原理 光刻胶的组成材料 光刻胶又称光致抗蚀剂，有正胶和负胶之分。 正胶：曝光前，对某种溶剂来说是不可溶的，曝光后变为可溶的； 负胶：曝光前，对某种溶剂来说是可溶的，曝光后变为不可溶的； 光刻胶成分：感光胶、增感剂、溶剂； 感光胶：光刻胶的重要组成部分，是光刻胶感光的核心部分。其核心成分是感光树脂； 增感剂：感光剂的感光速度一般不高，大规模生产要求感光速度很快，因此在胶中要添加一种物质用来提高感光速度，这就是增感剂； 负性胶增感剂为5-硝基苊； 正性胶增感剂为苯骈三氮唑； 溶剂：感光剂和增感剂全是固态物质，必须要加进溶剂进行溶解，形成一定粘度的液态物质； 负性胶一般用环巳酮； 掩膜版 制版方式 光学制版 光学制版中普遍采用的感光底板是超微粒干版（又叫乳胶版）。其主要成分是AgBr，通过曝光形成潜影，然后显影、定影得到清晰可见的图形。 超微粒干版缺点：感光乳剂容易划伤，在使用中变质且不能分辩3μm以下的图形； 目前最常用的感光版使用玻璃涂敷铬技术； 玻璃涂敷铬，又叫金属硬面版； 其制作过程如下： 电子束制版工艺过程 过程为：在掩膜基片上涂覆EBR（电子束抗蚀剂）胶 预烘 电子束照射 显影 坚膜 腐蚀 去胶 电子束制版工艺流程 (b)显影、坚膜 (c) 腐蚀 (d) 去胶 涂底胶 目的： 进一步保证光刻胶和晶园表面的粘结能；底胶的选择必须保证一个很好的黏附和平滑的表面； 底胶的作用是从化学上把晶园表面的水分子系在一起，因此增加了表面的黏附能力。 方法有：沉浸式 旋转式 蒸汽式 各有优缺点，使用时根据具体情况选择； 光刻工艺流程 涂光刻胶 目的： 在晶园表面建立薄而均匀并且没有缺陷的光刻胶膜； 要做到这一点必须用精良的设备和严格的工艺控制才能达到； 厚度：0.5～1.5μm，均匀性：±0.01μm 常用方法：旋转涂胶法