电工电子技术基本放大电路详解.pptxVIP

第9章 基本放大电路9.1双极型晶体管 9.2放大电路的工作原理 9.3放大电路的静态分析9.4放大电路的动态分析 9.5双极型晶体管基本放大电路 9.6场效应型晶体管 9.7场效应型晶体管基本放大电路 9.8多级放大电路 9.9差分放大电路 9.10 功率放大电路 9.1 双极型晶体管晶体管又称半导体三极管晶体管是最重要的一种半导体器件之一，它的放大作用和开关作用，促使了电子技术的飞跃。晶体管图片一、基本结构晶体管的主要类型(1) 根据结构分为: NPN型和PNP型(2) 根据使用的半导体材料分为: 硅管和锗管 PNP型发射极集电极NPNPPN基极EECCBBCCBBEE一、 基本结构NPN型集电极发射极基极NPN型晶体管PNP型晶体管符号：集电极C基极NPBNE发射极结构特点：集电区：面积最大基区：最薄，掺杂浓度最低集电结发射结发射区：掺杂浓度最高CNBRCPNRBECEEB二、工作状态1. 放大状态发射结正偏、集电结反偏从电位的角度看：NPN管：发射结正偏VBVE 集电结反偏VCVB 即:VCVBVEPNP管：发射结正偏VBVE 集电结反偏VCVB即:VC VB VE CT E + + B+－－ CT E－－B+二、工作状态1. 放大状态发射结正偏、集电结反偏从电位的角度看：NPN管：发射结正偏VBVE 集电结反偏VCVB 即:VCVBVEPNP管：发射结正偏VBVE 集电结反偏VCVB即:VC VB VEICIBCB3DG100EC+UCE?E+UBE?RBVV?AmAmAIEEB1). 各电极电流关系及电流放大作用晶体管电流放大的实验电路 设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表：IB(mA)0.040.0600.020.080.102.303.103.950.701.50IC(mA)0.0010.721.542.363.184.05IE(mA)0.001晶体管电流测量数据结论:(1) IE = IB + IC符合基尔霍夫定律(2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。CICEICBONBECPRBNEBIBEEIE集电结反偏，阻挡集电区电子向基区扩散，但是它将从基区扩散来的电子拉入集电区，形成电流ICE。2)晶体管内部载流子的运动规律 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 基区空穴向发射区的扩散可忽略。　基区接电源正极，基区激发的价电子不断被电源拉走，补充空穴形成电流IBE 。进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。ICCIBICBONICEIBEECPBRBNEBEIE2)晶体管内部载流子的运动规律IC = ICE+ICBO ? ICEIB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数若IB =0, 则 IC? ICE0集－射极穿透电流, 温度??ICEO?(常用公式)3) 特点IB 微小的变化，会产生 IC 很大的变化。IC =βIB 。0＜UCE＜UCC ， UCE = UCC－RC IC 。晶体管相当于通路。ICCRCNPNB IBUCC RBUBB E IECRCUCC E 2. 饱和状态条件: 发射结正偏, 集电结正偏。 IB↑,IC ↑UCE = (UCC－RC IC)↓ ICM = UCC / RC特点： IB↑,IC 基本不变。 IC≈UCC / RC 。 UCE≈0 。 晶体管相当于短路。电路图饱和状态时的晶体管ICCRCNPNB IBUCC RBUBB E IECRCUCC E3. 截止状态条件: 发射结反偏, 集电结反偏。特点： IB= 0 IC= 0 UCE= UCC 晶体管相当于开路。电路图截止状态时的晶体管RB1 CRCa RB2 UBB1 RB1 5 500×103 S BIB = = A b c UCC EUBB1 UBB2 [例9.1.1] 图示电路，晶体管的 ? = 100，求开关 S 合向 a、b、c 时的 IB、IC 和 UCE，并指出晶体管的工作 状态（忽略 UBE ）。[解] (1) 开关 S 合向 a 时 = 0.01 mAUCC = 15 V UBB1 = 5 V UBB2 = 1.5 VRB1 = 500 k? RB2 = 50 k? RC = 5 k?晶体管处于放大状态。