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概述烧结机理晶粒生长与二次再结晶影响烧结的因素;烧结理论研究的发展历史;第一节 概述;;1）常规烧结（是否出现液相） ;图1 热压炉;图2 放电等离子体烧结炉（SPS）;图3 气压烧结炉（GPS）;图4 微波烧结炉;二、与烧结有关的概念; ;三、烧结过程及推动力;;粉状成型体的烧结过程示意图;烧结初期：坯体中颗粒重排，接触处产生键合，空隙变形、缩小（即大气孔消失），固-气总表面积没有变化。 烧结中期：传质开始，粒界增大，空隙进一步变形、缩小，但仍然连通，形如隧道?? 烧结后期：传质继续进行，粒子长大，气孔变成孤立闭气孔，密度达到95%以上，制品强度提高。;（二）烧结推动力;由表面张力作用产生的压力差：;四、烧结模型;例： （1）把两根新拉制的玻璃纤维相互叠放在一起，两根玻璃纤维在接触处会产生粘附作用。 （2）水膜; (a);二、物质的传递——传质过程;（一）蒸发-凝聚传质;模型;2、颈部生长速率关系式;例如：氯化钠球的烧结实验;4、蒸发-凝聚传质的特点;作用在颈部曲颈基元上的表面张力：;因为 x ρ，有：;2）应力区的空位浓度：;3）空位浓度差;3、扩散传质途径;4、扩散传质过程;例如：Al2O3、NaF试块的烧结实验;3）温度 T 的影响;在扩散为主的烧结中，除体积扩散外，质点还可以沿表面、界面或位错等处进行多种途径的扩散。库软斯基综合各种烧结过程，得出，烧结动力学典型方程为：;根据科布尔的十四面体模型（多面体模型），烧结中期坯体气孔率（Pc）与时间（t）的关系为：;;（三）流动传质 —— ;烧结系统宏观粘度系数为：;（2）颈部增长公式 —— 中心矩缩短的双球模型;;颗粒尺寸↓，从10μm→1μm，dθ/dt ↑10倍。;2、塑性流动;（四）溶解-沉淀传质;3、溶解-沉淀传质过程;（2）溶解-沉淀传质;烧结速率：Kingery模型;各种传质过程可单独进行或几种传质同时进行。;例：;第三节 晶粒生长与二次再结晶;二、晶粒生长 ;晶界移动：;2、晶界移动的速率 —— 晶粒生长取决于晶界移动速率;粒界移动速率还与原子跃迁粒界的速率有关;3、晶粒长大的几何学原则;5、晶粒生长影响因素;1）晶界能量较小，晶界移动被杂质或气孔所阻挡，Vb＝0，晶粒正常长大停止。（烧结初期） 2）晶界具有一定的能量，晶界带动杂质或气孔继续移动，Vb＝VP 。气孔利用晶界的快速通道排除，坯体不断致密。 3）晶界能量大，晶界越过杂质或气孔，把气孔包裹在晶粒内部，Vb VP 。气孔被包入晶体内不，再不能利用晶界这样的快速通道而排除，只能通过体积扩散来排除，是十分困难的，坯体很难致密化。;（2）晶界上液相的影响;三、二次再结晶;4、二次再结晶的影响因素;5、控制二次再结晶的方法;四、晶界在烧结中的作用;第四节 影响烧结的因素;3、烧结温度与保温时间的关系;二、原始粉料粒度的影响 ;刚玉坯体烧结程度与细度的关系：;2、物料原始粒径细且均匀，可防止二次再结晶;一般说来对于给定的物料有着一个最适宜的热分解温度。温度过高会使结晶度增高、粒径变大、比表面活性下降；温度过低则可能因残留有未分解的母盐而妨碍颗粒的紧密充填和烧结。;2、盐类的选择;当添加物能与烧结物形成固溶体时，将使晶格畸变而得到活化。故可降低烧结温度，使扩散和烧结速度增大，这对于形成缺位型或间隙型固溶体尤为强烈。;外加剂与烧结物成形成的新的化合物包裹于表面，会抑制晶界移动速率，防止晶粒的异常长大，促使坯体致密化的进行。;5、外加剂起扩大烧结范围的作用;1、物理作用 ;六、压力的影响;应用;意义;所做的工作;液相烧结氧化铝陶瓷及其烧结动力学分析