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第四章4 双极结型三极管及放大电路基础4.1 半导体三极管4.2 共射极放大电路的工作原理4.3 放大电路的分析方法4.4 放大电路静态工作点的稳定问题4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路4.6 组合放大电路4.7 放大电路的频率响应4.1 半导体三极管4.1.1 BJT的结构简介4.1.2 放大状态下BJT的工作原理4.1.3 BJT的V－I特性曲线4.1.4 BJT的主要参数 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管4.1.1 BJT的结构简介集电极，用C或c表示（Collector）。 发射极，用E或e表示（Emitter）；集电区 发射区基区发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base）三极管符号管芯结构剖面图 BJT结构特点：? 发射区的掺杂浓度最高；? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO 由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件： 发射结正偏 集电结反偏1. 内部载流子的传输过程 ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。2. 电流分配关系根据传输过程可知IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO通常 IC ICBO放大状态下BJT中载流子的传输过程ICEO= (1+ ? ) ICBO（穿透电流） ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。根据 IC= InC+ ICBOIE=IB+ IC2. 电流分配关系且令BJT的三种组态3. 三极管的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。+(uA)4.1.3 BJT的V-I 特性曲线★iBiCvCEv≥1VciBCE80v=0VbCE-+vBEe-VCC40VBBv共射极放大电路(V)BE0.20.40.60.81. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例） iB=f(vBE)? vCE=const(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。★4.1.3 BJT的V-I 特性曲线2. 输出特性曲线iC=f(vCE)? iB=const输出特性曲线的三个区域:饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，此时，发射结正偏，集电结正偏。截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于门槛电压。硅管0.5V，锗管0.1V放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。(1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const4.1.4 BJT的主要参数1. 电流放大系数 当ICBO和ICEO很小时， ≈?，可以不加区分。4.1.4 BJT的主要参数(2) 共发射极交流电流放大系数 ? ? =?IC/?IB?vCE=const4.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 ICEO=（1+）ICBO 4.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO 4.1.4 BJT的主要参数 3. 极限参数(1) 集电极最大允许电流ICM(2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 4.1.4 BJT的主要参数 3. 极限参数(3) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO★4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响1. 温度对BJT参数的影响(1) 温度对ICBO的影响温度每升高10℃，