mosfet基础2mosfet工作原理频率cmos介绍.pptx

10.3 MOSFET原理2015-1110.3 MOSFET基本工作原理MOSFET结构电流电压关系——概念电流电压关系——推导跨导衬底偏置效应GDS漏源PtoxSiO2LN+N+BDBGS10.3 MOSFET原理 MOSFET结构1.结构2.符号3.基本参数沟道长度 L(跟工艺水平有关)沟道宽度 W栅氧化层厚度 toxN 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图10.3 MOSFET原理 MOSFET分类(1)按照导电类型的不同可分为：电流方向空穴运动方向电子运动方向p沟道MOSFETn沟道MOSFETp型衬底，n型沟道，电子导电VDS0，使电子从源流到漏n型衬底，p型沟道，空穴导电VDS0，使空穴从源流到漏10.3 MOSFET原理 MOSFET分类(2)按照零栅压时有无导电沟道可分为：n沟道增强型MOSFET零栅压时不存在反型沟道，VTN0n沟道耗尽型MOSFET零栅压时已存在反型沟道，VTN010.3 MOSFET原理 MOSFET分类(3)p沟道增强型MOSFET零栅压时不存在反型沟道，VTP0p沟道耗尽型MOSFET零栅压时已存在反型沟道，VTP0耗尽型：栅压为0时已经导通N沟（很负才关闭）P沟（很正才关闭）增强型：栅压为0时不导通N沟（正电压开启 “1”导通）P沟（负电压开启 “0”导通）GDSPSiO2N+N+BSDB10.3.2 N 沟道增强型 MOS 场效应管工作原理1. VGS对半导体表面空间电荷区状态的影响当VGS 逐渐增大时，栅氧化层下方的半导体表面会发生什么变化？(1) VGS = 0漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。GDSVDSPVGSSiO2N+N+(3) VGS 继续增大 弱反型 强反型++++++++B--------反型层iD(2) VGS 0逐渐增大 栅氧化层中的场强越来越大，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大 VGS 耗尽层变宽。----　由于吸引了足够多P型衬底的电子，会在耗尽层和 SiO2 之间形成可移动的表面电荷层 ——反型层、N 型导电沟道。这时，在VDS的作用下就会形成ID。 当VGS继续升高时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同VDS的作用下，ID将进一步增加。阈值电压 MOS场效应管利用VGS来控制半导体表面“感应电荷”的多少，来改变沟道电阻，从而控制漏极电流 ID。 MOSFET是一种电压控制型器件。 MOSFET能够工作的关键是半导体表面必须有导电沟道，而只有表面达到强反型时才会有沟道形成。 阈值电压：使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压。用VT表示。VDSVGD=VGS–VDSVGSVGSGSDBEPL N+N+2. VDS对导电沟道的影响(VGSVT)VDS 0，但值较小时：VDS对沟道影响可忽略，沟道厚度均匀；b.0VDSVGS–VT， 即VGD=VGS–VDSVT:导电沟道呈现一个楔形，靠近漏端的导电沟道减薄；c.VDS=VGS–VT，即VGD=VT：靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断，VDS=VDSat；d.VDSVGS–VT，即VGDVT：夹断区发生扩展，夹断点向源端移动。ID/mA(a)VDS很小(b)VDS?: VGDVTVDS预夹断轨迹VGS击穿区GSD过渡区VGD≈VGS VGS=5VVGSVGSVGDN+N+非饱和区VDSVGSVDSGSDVGS=4VBBBBVDS线性区VGSVGSPPPPN+N+GSDVGS=3VGSDOVDS /V(d)VDS???:VGDVT(c)VDS??:VGD=VTN+N+N+N+BVDS VDSat VGSVTVGSVTVGDLL 3 . N 沟道增强型 MOS 场效应管的特性曲线1）输出特性曲线(假设VGS=5V)饱和区ID=IDSat 输出特性曲线ID /mAVGS /VO2）转移特性曲线(假设VDS=5V) a. VGS VT 器件内不存在导电沟道，器件处于截止状态，没有输出电流。 b. VGS VT 器件内存在导电沟道，器件处于导通状态，有输出电流。且VGS越大，沟道导电能力越强，输出电流越大。VT 转移特性曲线GDSPSiO2N+N+B　+ + + + + + DBGS4. N 沟道耗尽型 MOS 场效应管（1） N沟道耗尽型MOS场效应管结构1、 结构2、 符号ID/mAID/mA+1V4VGS=03IDSS-1 V2-2 V1-3 VVPO2051015VDS /V(b)转移特性(a)输出特性OVGS /V（2）基本工作原理a. 当VGS=0时，VDS加正向电压，产生漏极电流ID,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示。b. 当VGS＞0时，ID进一步增加。c. 当VGS＜