外延薄膜中的缺陷.pptxVIP

公度失配：;Those planes and directions which give the best lattice fit often, but certainly not always, determine the film-substrate orientation;Tilted-Layer Epitaxy;Graphoepitaxy;外延薄膜示意图：三维集成电路;外延薄膜示意图：太阳能电池;9.1 材料的晶格常数、热膨胀系数;Material Studio模拟计算得到的Vergard’s Law;常见半导体材料带隙与晶格常数的关系图;9.2 材料中的各类缺陷;金属中的点缺陷：空位??间隙原子，替代杂质;面心立方金属的间隙;八面体和四面体间隙相互独立、间隙大小;八面体间隙位坐标： （1/2,0, 1/2) + 各原子坐标 其余八面体间隙坐标。;体心立方密堆积的四面体间隙;体心立方密堆积的间隙不是正多面体，四面体间隙包含于八面体间隙之中;半导体中的点缺陷;间隙位置坐标： （1/2,1/2, 1/2) + 各原子坐标 其余间隙位置坐标。;金刚石结构的晶胞中原子在底面的投影, 数字是垂直方向上的坐标, 其单位是晶格常数的1/8(b), 四面体间隙(方形)和六角间隙(三角形)在底面的投影, ;晶胞中有8个原子，8个四面体间隙，