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《光电功能材料》14 刘 磊电话mail: liulei442@薄膜功能材料作为材料一中特殊形式的薄膜材料，尤其是薄膜功能材料，由于可以实现很多块体材料所没有的独特性质，所以在高科技领域发展中具有重要的作用，例如计算机、自动化等领域对各种元器件提出越来越高的微型化，集成化的要求，都要靠薄膜材料的发展来实现。制备方法简介总的来说，薄膜的制备方法主要有两大类，即物理气相沉积和化学气相沉积物理气相沉积，即采用物理方法使物质的原子或分子逸出，然后沉积在较冷的基片上形成薄膜的工艺。为了避免氧化，沉积过程一般在真空中进行。根据物质的院子或分子逸出的方法不同，又可以分为蒸镀，溅射和离子镀等制备方法简介1 真空蒸镀是在真空室中将材料加热，利用热激活使其原子或分子从表面逸出，然后沉积在较冷的基片上形成薄膜的工艺。一般是将待镀的基片置于高真空室内，通过加热使蒸发材料气化（或升华）而淀积到某一温度基片的表面上，从而形成一层薄膜，这一工艺过程称为真空蒸镀法。 电阻加热 感应加热 真空蒸发真空成膜技术 电子束加热 激光加热 直流溅射 溅射沉积 射频溅射 物理气相沉积 （PVD） 磁控溅射 离子束溅射 直流二极型离子镀分子束外延 （MBE）气相沉积 离子镀 射频放电离子镀 等离子体离子镀 热壁 化学气相沉积 （CVD） DC HFCVD RF 冷壁 PECVD ECR:电子回旋共振 MW LECVD hot-filament, plasma enhanced, laser enhanced ECR--531010pa(76010Torr)--1010pa(1010Torr)--313--1010pa(1010Torr)----1638--1010pa(1010Torr)---a(10Torr)--1012真空区域的划分 目前尚无统一规定，常见的划分为： 粗真空 低真空 高真空 超高真空 极高真空 能量真空镀膜总的原理图衬底制备方法简介采用蒸发形成的薄膜的过程包括以下物理阶段 （1）采用蒸发或升华把被淀积的材料转化为气态（2）原子或分子从蒸发源上转移到基片上（3）这些粒子淀积在基片上（4）在基片表面上粒子重新排列或它们的键发生变化真空蒸镀设备主要由真空镀膜室和真空抽气系统组成。蒸镀的方法很多，按照加热的方法主要有电阻加热，电子束轰击加热，激光加热等。制备方法简介A电阻加热法有些材料可以做成丝状或片状作为电阻元件直接通电进行加热，使其原子或分子在高温下挥发出来，如铁，铬，钛等，但是对于大多数材料，特别是化合物等不导电或不易制成电阻元件的材料，一般采用间接加热方法,即将材料放在电热元件上进行加热，电热元件通常用钨。钼，铂，碳等制成。优点：设备比较简单，缺点是对于多组分材料，由于各组元的蒸汽压不同，引起的薄膜成分与原材料不同。而且在加热过程中电热元件的原子也会挥发出来，造成污染，被加热材料还可能与电热元件发生反应，在电热温度较高时这些缺点尤其显著。电阻热蒸发：常用蒸发源加热丝加热舟盒状源坩埚制备方法简介Ｂ 电子束轰击法将电子枪经过高压加速产生的高能电子聚焦在被蒸发材料上，电子的动能转变成热能可以得到很高温度。电子束加热可以得到很高的能量密度，而且易于控制，因而可蒸镀高熔点材料，尤其适合熔点达到2000摄氏度的氧化物，由于不需要坩埚，避免了坩埚对膜料的污染，可以以大功率密度进行快速蒸镀，可以避免薄膜成分与原材料不同。电子束热蒸发制备方法简介Ｃ　激光束加热将大功率的激光束经过窗口引入真空室内，通过透镜或凹面镜等聚焦在靶材上，将其加热蒸发，这种方法可得到很高的能量密度，因而可以蒸镀能吸收激光的高熔点物质。由于激光器不在镀膜室内，以无接触加热方式使膜料迅速气化，然后沉积在基片上形成薄膜，镀膜室的环境气氛易于控制，特别是适于在超高真空下制备纯净薄膜。激光成膜制备方法简介Ｄ 反应蒸镀在一定反应气氛中蒸镀金属或低价化合物，使在进行蒸镀过程中发生反应而得到所需的高价化合物薄膜的方法称为反应蒸镀。为了增加反应度，在沉积过程中可以采用紫外线照射或电子离子轰击等活化手段。制备方法简介Ｅ　分子束外延（Molecular Beam Epitaxy)在单晶基片上按照一定晶体学方向生长单晶膜称为外延。如基片与薄膜为同种物质称为同质外延，若为不同物质则为异质外延。分子束外延是在超高真空中，通过质谱仪等设备精确控制不同强度不同成分的分子束流，并使之沉积在加热到一定温度的基片上而实现的。MBE是近年来在真空蒸镀基础上发展起来的一种新技术，由于其沉积速度慢，可以非常精确控制外延层厚度，精确控制各组元成分，因而可以制备出原子量级厚度的极薄单晶膜，特别是可用来制备具有超晶格结构的薄膜，为高速光电子器件和集成光学器件提供了条件。制备