微波二极管量子效应和热电子器.pptxVIP

微波二极管、量子效应和热电子器件;本章内容; 微波频率涵盖约从0.1GHz到3000GHz，相当于波长从300cm到0.01cm。 ; 下图显示好几个平面输运线基本的形式：微细长片、同平面波导(CPW)细长线和悬吊衬底细长线(SSSL)。; 在微波电路中；相对于电抗，电阻是非常小的，因此前式可简化成 ; 共振腔体内的共振模式发生在沿着z轴方向长度d为半波长时的频率。对于腔体内的模式，是以字母数字组合Txm,n,p来代表，其中x对主模式是电场时为E，是磁场时为M；m是a在尺寸方向半波长的个数；n是在b尺寸方向半波长的个数；p是在d尺寸方向半波长的个数。对于腔体的共振频率，与模式有关的方程式为 ; 隧道二极管与量子隧穿现象息息相关，因为穿越器件的隧穿时间非常短，故可应用于毫米波区域，且因为隧道二极管为相当成熟的技术，因此常被应用于特定的低功率微波器件，如局部震荡器和锁频电路 ; 在没有外加电压的热平衡状态下，由于高掺杂浓度，因此耗尽区非常窄且隧穿距离d也非常小(5nm-10nm)。同时，高掺杂浓度也造成费米能级落在允带范围内。图中最左边的图所显示的简并量qVp和qVn大约在50meV-200meV。 ; 当外加正向偏压时，在n型边存在一被占据的能态带，且在p型边存在一对应的、但未被占据的可用能态带。因此电子可从n型边被占据的能态带隧穿到p型边未被占据的可用能态带。; 因此，在正向偏压时，当电压增加，隧穿电流会从零增加到一峰值电流Ip，随着更进一步地增加电压，电流开始减少；当V=Vp+Vn时，电流减至一最小值。如图，在达到峰值电流后减少的部分是负微分电阻区。峰值电流Ip与谷底电流Iv之值决定负电阻的大小。因此，Ip/Iv之比被当作是衡量隧道二极管好坏的一个指标。 ; 碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT) 是利用雪崩倍增和半导体器件的渡越时间特性来产生在微波频率时的负电阻。IMPATT是最具威力的微波功率固态源之一。目前，在毫米波频率超过30GHz时，IMPATT可以产生所有固态器件中最高的连续波(CW)功率输出。IMPATT被广泛使用在雷达系统与警报系统上。弱点：因雪崩倍增过程的不规律变动所引起的噪声甚高。 ;;;;;;;;;;;;;;;;; 热电子是???动能远大于kT的电子。当半导体器件尺寸缩小，导致内部场变大，因此在器件工作时，器件有源区内有相当比例的载流子会处于高动能状态。在某一特定的时间与空间点上，载流子的速度分布可能是极窄的尖峰，此情形称为“弹道”电子束．;;;