Q_320501 HHMF001-2019氮化镓射频外延片.pdf

L42 Q 苏 州汉骅半 导体有 限公 司企 业标 准 Q/320501 HHMF001—2019 氮化镓射频外延片 2019-08-01发布 2019-09-01实施 苏州汉骅半导体有限公司 发布 Q/320501 HHMF001—2019 前 言 本标准按GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 请注意本标准的某些内容可能涉及专利，本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准起草单位：苏州汉骅半导体有限公司。 本标准主要起草人：倪贤锋、孙培浩、华斌、范谦、顾星。 本标准首次发布日期：2019-08-01，备案号：第 -L。 2 Q/320501 HHMF001—2019 氮化镓射频外延片 1 范围 本标准规定了氮化镓 （GaN）射频外延片的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、 包装、标志、运输和贮存。 本标准适用于MOCVD 气相外延生产的GaN 基射频外延片 （以下简称外延片）。 2 规范性引用文件 下列文件对本文件的应用是必不可少的。凡是注明日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。 凡是不注明日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第1部分 总则 （IEC60749-1：2002，IDT） 3 术语和定义 下列规定的术语和定义适用于本标准。 3.1载流子浓度 （Ns） -3 载流子浓度为半导体中的电子或者空穴的浓度。载流子浓度可以是体浓度 （单位cm ）,也可以是面浓 -2 度 （单位cm ）。体浓度乘以样品导电层的厚度可以得到面浓度。本文档中所涉及的样品为AlGaN/GaN HEMT，其电子集中在AlGaN 与GaN 层的界面处二维分布，所以本文档中的载流子浓度Ns特指二维电子 气的面浓度。 3.2 方阻 （Rs） 方阻 （Sheetresistance）为方块电阻的简称，方块电阻又称薄层电阻，其定义为正方形的半导体薄层， 在电流方向所呈现的电阻，单位为欧姆每方 （Ω/□）。简单来说，方块电阻就是指导电材料单位厚度单位面 积上的电阻值。简称方阻，理想情况下它等于该材料的电阻率除以厚度。在半导体材料中方阻可以用下述公 司计算: Rs 1/ (Ns *q *µ) 其中Ns为载流子浓度，µ为迁移率。 3.3 迁移率 （µ） 电子迁移率 （英语：electron mobility）用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的 物理量。人们常用载流子迁移率 （carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。迁移率 定义为µ V/E，即在电场E 作用下电子速率 （还没有达到速率饱和之前）随着单位电场的变化所引起的迁 s 移速率的变化快慢。 3.4 光致发光 光致发光(英文photoluminescence) 简称PL，物体依赖外界光源进行照射，从而获得能量，产生激发导 致发光的现象，它大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段，光的吸收及发射都发生于能级之间的跃 迁，都经过激发态。而能量传递则是由于激发态的运动。