化学汽相淀积.pptxVIP

在蒸发和溅射这些物理淀积方法中，粒子几乎直线运动，存在台阶覆盖问题。随着集成电路尺寸的不断缩小和纵横比的提高，使台阶覆盖问题更为突出。此外，蒸发和溅射主要用于金属薄膜的淀积，不太适用于半导体薄膜和绝缘薄膜的淀积。 ; CVD 工艺的特点 1、CVD工艺的温度低，可减轻硅片的热形变，抑制缺陷的生成，减轻杂质的再分布，适于制造浅结器件及 VLSI ； 2、薄膜的成分精确可控、配比范围大，重复性好； 3、淀积速率一般高于物理淀积，厚度范围大； 4、膜的结构完整致密，与衬底粘附好，台阶覆盖性好； 5、集成电路制造中所用的薄膜材料，包括介质膜、半导体膜、导体膜等，几乎都能用 CVD 工艺来淀积。例如， 介质： SiO2、Si3N4、PSG、BSG、Al2O3、TiO2、Fe2O3 半导体：Si、Ge、GaAs、GaP、AlN、InAs、多晶硅 导体： Al、Ni、Au、Pt、Ti、W、Mo、WSi2 ; CVD 的分类 1、按温度，有低温 ( 200 ~ 500oC)、中温 ( 500 ~ 1000oC) 和高温 ( 1000 ~ 1300oC) CVD 。 ; 1