场效应管及其放大电路2.pptxVIP

单极型三极管及其放大电路 单极型三极管又称场效应管，是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。按结构不同场效应管有两种:结型场效应管绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类每类又有N沟道和P沟道之分漏极DDGP+P+栅极GNS源极S（b）符号一、结型场效应管（a）结构附件3%20教案/01/A1.4.1.ppt动画图2.2.8N沟道结型场效应管RD耗尽层耗尽层结型场效应管工作原理结型场效应管工作时要求PN结反向偏置，因此，栅极电位必须低于源极和漏极电位。图2.2.9DDD耗尽层NGGGPPPP沟PP道N－－VVGGGG＋＋SSS(a)(b)(c)附件3%20教案/01/A1.4.2.ppt动画结型场效应管工作原理当G、S两极间电压VGS改变时，沟道两侧耗尽层的宽度也随着改变，由于沟道宽度的变化，导致沟道电阻值的改变，从而实现了利用电压VGS控制电流iD的目的。SiO2绝缘层金属电极 高掺杂N区P型硅衬底二、 绝缘栅场效应管1. 增强型绝缘栅场效应管(1) N沟道增强型管的结构 ：以一块掺杂浓度较低的P型硅片作衬底，在衬底上面的左、右两侧利用扩散的方法形成两个高掺杂的N+区源极S栅极G并用金属铝引出两个电极，作为源极S和漏极D漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。BDGS 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。符号：箭头方向：PN结加正偏时的电流方向B 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。EDS–+DEGSGD–+UGSN+N+P型硅衬底(2) N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。ED–+EGSGD–+UGSN+N+P型硅衬底当UGS0时，栅极与衬底之间产生了一个垂直于半导体表面、由栅极G指向衬底的电场。这个电场的作用是排斥P型衬底中的空穴而吸引电子到表面层，当UGS增大到一定程度时，绝缘体和P型衬底的交界面附近积累了较多的电子，形成了N型薄层，称为N型反型层。反型层使漏极与源极之间成为一条由电子构成的导电沟道（N沟道），当加上漏源电压UDS之后，就会有电流ID流过沟道。通常将刚刚出现漏极电流ID时所对应的栅源电压称为开启电压，用UGS(th)表示。N型导电沟道ED–+EGSGD–+UGSN+N+P型硅衬底当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。N型导电沟道=if(U)=DGSU常数DS（3）特性曲线输入特性曲线由转移特性曲线可见，当UGSUGS(th)时，导电沟道没有形成，ID=0。 当UGS≥UGS(th)时，开始形成导电沟道，并随着UGS的增大，导电沟道变宽，沟道电阻变小，电流ID增大。 URUDDDRDDD=if(U)=DDSU常数GSDGS铝二氧化硅＋DG(SiO)S2铝二氧化硅＋＋＋NN(SiO)2＋＋NNP衬底P衬底B自由电子层B预夹断(衬底引线)(衬底引线)动画/第二章/漏源电压对沟道的影响.swf动画输出特性曲线当UGS 为常数且UDS UGS-UGS(th) 时，iD与UDS成线性关系，为一线性电阻。当UDS增大到UDS≥ UGS- UGS(th)，漏极附近的反型层消失，此时称为沟道预夹断。以后进入饱和（放大）区。URDDD/ mAiDD GS铝二氧化硅＋(SiO)预夹断2＋＋NNP衬底/ VUBDS 自由电子层0(衬底引线)图2.2.5（a）输出特性曲线UGS=常数（ UGS(th) ）UGS- UGS(th)1.段 0 UDS UGS- UGS(th)2.段 UDS ≥ UGS- UGS(th)3.段 UDS达到一定值时，进入击穿状态。图2.2.5（b）输出特性曲线饱和（放大）区 图2.2.5为输出特性曲线，分为可变电阻区、恒流区（放大区）、夹断区和击穿区，截止区可变电阻区DP+P+N型衬底GS(4) P沟道增强型SiO2绝缘层符号：结构加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS ? UGS(th）时才形成导电沟道。SGD铝二氧化硅(SiO)+++++2＋＋NNP衬底DB(衬底引线)衬底符号(b)结构(a)GS2、耗尽型N沟道MOS场效应管N