半导体工艺原理刻蚀工艺2013513贵州大学.pptxVIP

刻蚀工艺;光刻总结;刻蚀工艺 用光刻方法制成的微图形，只给出了电路的行貌，并不是真正的器件结构。因此需将光刻胶上的微图形转移到胶下面的各层材料上去，这个工艺叫做刻蚀。通常是用光刻工艺形成的光刻胶作掩模对下层材料进行腐蚀，去掉不要的部分，保留需要的部分。 需要刻蚀的物质：SiO2 、Si3N4、Polysilicon和铝合金及Si 要求：图形的保真度高、选择比好、均匀性好、清洁。 ;刻蚀工艺流程;栅掩膜对准 Gate Mask Alignment;栅掩膜曝光 Gate Mask Exposure;Development/Hard Bake/Inspection;Etch Polysilicon刻蚀多晶硅;Etch Polysilicon 继续;Strip Photoresist 剥去光刻胶;Ion Implantation;Rapid Thermal Annealing;刻蚀术语;刻蚀速率（Etch Rate）;刻蚀选择比;举例;刻蚀均匀性;刻蚀剖面;刻蚀剖面;刻蚀技术分类：温法腐蚀：进行腐蚀的化学物质是溶液；干法腐蚀(一般称为刻蚀)：进行刻蚀的化学物质是气体。;湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法，用在线条较大的IC(≥3μm)； 优点：选择性好；重复性好；生产效率高；设备简单；成本低； 缺点：钻蚀严重；各向同性，对图形控制性差，并且要使用大量有毒与腐蚀的化学药品。 广泛应用在半导体工艺中：磨片、抛光、清洗、腐蚀；;IC工艺中常用材料的化学腐蚀剂;湿法刻蚀剖面;SiO2 的腐蚀;二氧化硅的腐蚀速率与温度的关系;氮化硅腐蚀;铝的腐蚀;硅或多晶硅的刻蚀;干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 优点：各项异性好，可以高保真的转移光刻图形； 主要有溅射与离子束铣蚀、等离子刻蚀、反应离子刻蚀等。;用于IC制造中薄膜的典型或代表性等离子体气体;溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差。 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching：简称为RIE)：通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术。;（1）二氧化硅的刻蚀 采用的气体为CF4、CHF3、C2F6 增加等离子体中的氧含量，将导致Si/SiO2的选择性变差。增加氢的含量将改善Si/SiO2的选择性。 在现在的半导体刻蚀制造中，常采用CHF2和 Cl2的混合等离子体来进行SiO2的RIE刻蚀。;（2）氮化硅的刻蚀 用于刻蚀SiO2的干刻蚀法，都可以用来刻蚀氮化硅和多晶硅，但Si-N键的键结强度介于Si-O和Si- Si之间，因此，刻蚀速度以SiO2为最快， Si3N4其次，多晶硅最慢。 如以CHF3的等离子体作为刻蚀气体， SiO2/Si的选择性在10以上，Si3N4/Si的选择性在3-5， SiO2/ Si3N4的选择性在2-4 。;（3）多晶硅化物（Polysilicon）的刻蚀 大多数金属对SiO2的附着力很差，并且可以使用扩散也能完成自对准工艺，采用多晶硅来取代金属。但多晶硅的电阻还是太大，所以在多晶硅的上方再加一层金属硅化物（Metal Silicide），以多金硅和硅化金属所组合而成的导电层，便称为多晶硅化金属。;其刻蚀分为两步，首先是要除去未被光刻胶保护的硅化金属，可以采用CF4、SF6、Cl2、HCl2等都可以用来作为硅化金属的RIE的反应气体。 对多晶硅的刻蚀采用氟化物将导致等方向性的刻蚀，而Polycide 的刻蚀必须采用各向异性，因此采用氯化物较好，有 Si, HCL2, SiCl4等。;(4)铝及铝合金的刻蚀 铝和铝合金是现在半导体制造过程中普遍采用的导体材料，铝合金主要采用铝-硅铜合金（防止尖刺和电迁移），来作为半导体元件的导电层材料。 氟化物气体所形成的等离子体并不适用于刻蚀铝，因为形成的化合物ALF3的挥发性很低，因此现在的半导体工艺中都使用氯化物，如： SiCl4 、BCl3 、CCl4等气体与氯气混合，来进行铝的RIE刻蚀， ALCL3具有挥发性。 在进行铝刻蚀时，应先把铝表面的Al2O3去除，然后再进行第二步的铝刻蚀。;半导体生产中所使用的铝既是铝-硅-铜的合金，进行干刻蚀时，免不了要把这两个物质加以去除。硅很容易被刻蚀，而氯与铜所形成的化合物（ CuCl2),并不是一种