场效应管是依靠电场效应控制半导体中多精.pptxVIP

§2.2 Field Effect Transistors;;; 输出特性划分为三个区域;2.2.2. IGFET (MOSFET);2、工作原理 Operation; (2)．沟道变形; 3. MOSFET  Current-Voltage  Characteristics; 另：N沟道耗尽型MOSFET;;Ⅰ Ⅲ 增强型 死区不开启；自偏不可行Ⅱ Ⅳ 耗尽型 结型不过零；过零绝缘栅;2.2.3 Main Parameters;gm可以在转 移特性曲线上求取， 即曲线的斜率;2.2.4 Characteristics and Notices ;;;; 现行两种命名方法： 一、与三极管相同 第三位字母J代表JFET，O代表IGFET； 第二位字母代表材料： D是P型硅N沟道；C是N型硅P沟道 例如, 3DJ6D是结型N沟道场效应三极管， 3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。;几种常用的场效应三极管的主要参数见下表 ;; 双极型三极管