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任意结构的微放电仿真
（丛书18 算例34）
CST China Ltd. / 2014/7/17
1 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@
目录
1. 电场分布仿真
2. 使用粒子自洽求解器（PIC）仿真微放电
3. 粒子自洽求解器（PIC）得到的微放电现象
4. 使用粒子追踪求解器（TRK ）仿真微放电
5. 粒子追踪求解器（TRK ）得到的微放电现象
6. 总结
2 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@
概述
• 微放电现象是发生在微波器件内部存在少量游离
粒子的真空环境中的一种粒子倍增现象，主要是
由电子谐振引起的，致使二次发射电子数短时间
内呈现指数规律增长的一种现象，也叫二次电子
倍增效应。当发生微放电现象时，粒子数成指数
形式上升，微波器件内部会很快充满电子，阻塞
微波通路，导致器件故障；为了避免微放电现象
的发生，需要使用精确的仿真工具对微放电现象
进行仿真，得到微放电功率。
3 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@
微波开关模型
• 以微波开关的J1-J2通路为例，使用CST微波工作室和CST粒子工作室
得到微波开关发生微放电现象的功率阈值。
J3
J2
J4
J1
4 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@
结构尺寸
内导体直径2.4
，外导体直径
5.26，长3.5
内导体直径1.6
2
，外导体直径 2
5.5，长2.7
内导体直径2.4
，外导体直径
5.5，长5
内导体直径2.2
，外导体直径7
，长6.8
31.35
5 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@
1 电场分布仿真
使用CST微波工作室仿真微波开关内部的电场
分布，确定电场最强的位置
6 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@
导入模型
7 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@
导入之后的模型（截面图）
8 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@
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