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宽禁带半导体材料与器件应用新进展 SiC-AlN-GaN材料与器件新进展报告者：杨勇主要内容几种主要半导体材料的物理属性宽禁带半导体材料新进展GaN-AlN-(4H)SiC新型光触发功率半导体器件未来展望几种主要半导体材料的物理属性（300K） 基本 参数材料 Eg/eVSi1.120.313501.01.511.83C-SiC2.21.29002.04.59.64H-SiC3.262.02.04.5106H-SiC3.109.72.04.59.73C-GaN3.272.010002.51.39.92H-GaN3.443.39002.51.39.5AlN6.21.23001.82.88.5宽禁带半导体材料新进展 4H-SiC晶圆和外延材料的质量已经相当高，美国Cree公司能够提供商业化生产的100毫米零微管碳化硅基底，并且已经展示了高品质150毫米碳化硅基底。宽禁带半导体材料新进展 氮化铝(AlN)材料体单晶制备方法：物理气相传输法( PVT)发展动态：美国Crystal IS公司、俄罗斯N-Crystals公司在该领域处于领先地位,可以制备出直径为2inch(5.08cm)的体单晶2011年德国埃朗根一纽伦堡大学已利用AIN籽晶生长出直径为25mm、厚度为15mm的AIN体单晶美国北卡罗莱纳州立大学于2010年获得了直径为15mm高度为]5mm的无裂纹AIN晶圆．并于2011