Q_320281XSW001-2019(超)高频低饱和双极型外延晶体三极管芯片.pdf

L42 Q 江 阴 新 顺 微 电 子 有 限 公 司 企 业 标 准 Q/320281XSW001—2019 电子元器件详细规范 (超)高频低饱和双极型外延晶体三极管芯片 W2XN025 （ ） 2019-01-08 发布 2019-01-10 实施 江阴新顺微电子有限公司 发 布 Q/320281XSW001—2019 前 言 本标准的编写符合GB/T1.1-2009的规定。 本标准由江阴新顺微电子有限公司负责起草。 本标准由江阴新顺微电子有限公司批准。 本标准主要起草人：王金富。 I Q/320281XSW001—2019 电子元器件规范 （超）高频低饱和双极型外延晶体三极管芯片（W2XN025） 1 范围 本标准规定了（超）高频低饱和双极型外延晶体三极管芯片（以下简称“芯片”）的结构和特征、 技术要求、检验方法、检验规则、包装及贮存。（以典型品种W2XN025为例） 本标准适用于半导体分立器件芯片，含已粘膜划片的大圆片和未划片的大圆片。单个芯片也可参照 使用。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T191 包装储运图示标志 GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4937.1 半导体器件 机械和气候试验 第1部分：总则 GB/T12964-2003 硅单晶抛光片 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 IEC60747 半导体器件 分立器件和集成电路 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 JESD22-A103D High Temperature Storage Life MIL-STD-883E DIE SHEAR STRENGTH 3 结构和特征 3.1 分类 P型结构、N型结构，典型产品W2XN025结构是N型结构。 3.2 典型产品 W2XN025 的芯片外观尺寸、特性参数和芯片表面结构示意图见附录 A 的图A.1，其他各 产品参照产品的数据手册或者合同规定。