微电子器件b492015mosfet的结构及发展方向.pptxVIP

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2020-02-25 发布于上海
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微电子器件b492015mosfet的结构及发展方向.pptx

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4.9 MOSFET 的结构及发展方向 ; 4.9.1 按比例缩小的 MOSFET ;这时器件及集成电路的性能发生如下改变：; 2、恒场按比例缩小法则的局限性 ; 3、其它按比例缩小法则 ; 4.9.2 双扩散 MOSFET ; 4.9.3 SOS-MOSFET ; 4.9.4 深亚微米 MOSFET ; 2、栅耦合 ; (1) 有一定厚度的表面反型层可等效为一个与栅氧化层电容COX串连的反型层电容，削弱了栅电极对沟道电荷的耦合作用，相当于增加了有效栅氧化层厚度。 ; 3、速度过冲效应