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一、概述 ; 发光效率由内部量子效率与外部量子效率决定。内部量子效率在平衡时，电子-空穴对的激发率等于非平衡载流子的复合率（包括辐射复合和无辐射复合），而复合率又分别决定于载流子寿命τr和τrn，其中辐射复合率与1/τr成正比，无辐射复合率为1/τrn，内部量子效率为 ; 辐射复合发光的光子并不是全部都能离开晶体向外发射。光子通过半导体有一部分被吸收，有一部分到达界面后因高折射率（折射系统的折射系数约为3～4）产生全反射而返回晶体内部后被吸收，只有一部分发射出去。??此，将单位时间发射到外部的光子数nex除以单位时间内注入到器件的电子-空穴对数nin定义为外部量子效率ηex，即;2. 时间响应特性与温度特性 ; 通常发光二极管的外部发光效率均随温度上升而下降。图6-6 表示GaP（绿色）、GaP（红色）、GaAsP三种发光二极管的相对光亮度Le,λ,r与温度t的关系曲线。 ;3. 发光亮度与电流的关系 ;4. 最大工作电流 ;5. 伏安特性 ;6. 寿命 ;6.1.4 驱动电路 ;6.4 光电耦合器件;6.4.1 光电耦合器件的结构与电路符号 ; 光电耦合器件的电路符号如图6-29所示，图中的发光二极管泛指一切发光器件，图中的光电二极管也泛指一切光电接收器件。 ;2 光电耦合器件的特点 ;⑶ 具有抗干扰和噪声的能力 ;⑹ 即具有耦合特性又具有隔离特性 ;6.4.2 光电耦合器件的特性参数; (2) 输入与输出间的寄生电容CFC;;2.隔离特性 ;(2)输入与输出间的绝缘电阻RFC;3.光电耦合器件的抗干扰特性 ;6.5 光电耦合器件的应用 ;6.5.2 用于逻辑门电路 ; 图6-41所示典型应用电路中左侧的输入电路电源为13.5V的HTL逻辑电路，中间的中央运算器、处理器等电路为+5V电源，后边的输出部分依然为抗干扰特性高的HTL电路。 ;
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