半导体材料电导.pptxVIP

5.5.1 半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷： 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷，对材料的物理性能、化学性能产生决定性的影响。 杂质和缺陷的存在禁带中引入允许电子存在单位的状态。 ;;杂质电离：正电中心磷离子对多余价电子的束缚比共价键作用弱得多，这种电子仅需很少的能量成为导电电子，在晶格中自由运动，这一过程称为杂质电离。 杂质电离能：弱束缚电子成为导电电子所需的能量。;（2） 受主杂质 受主能级;2. 氧???物中缺陷能级;（1） 价控半导体陶瓷杂质能级的形成;反应式如下: Ba2+Ti 4+O2-3+xLa3+=Ba2+1-xLa3+x(Ti 4+1-xTi3+x)O2-3+xBa2+ 缺陷反应： La2O3 =LaBa · +2e′ +2Oo× +O21/2(g);— — — — — — — —;化学计量配比的化合物分子式： MO 有阳离子空位的氧化物分子式： M 1-xO 形成非化学计量配比的化合物的原因：由温度和气氛引起。 平衡状态，缺陷反应如下： O21/2(g)=VM×+2Oo× VM× = VM′ + h ·