半导体二极管的结构及特性.pptxVIP

第1章 半导体二极管铝合金小球 正极引线N型锗片正极引线负极引线PN结正极引线负极引线金锑合金N型锗p触丝外壳负极引线 底座N点接触型面接触型P型支持衬底集成电路中平面型1.2 半导体二极管的结构及特性1.2.1 半导体二极管的结构和类型构成：PN结 + 引线 + 管壳 = 二极管 (Diode)符号：AC(cathode)(anode)分类：点接触型硅二极管按结构分面接触型按材料分锗二极管平面型第1章 半导体二极管iD /mAuD /VO死区电压1.2.2 二极管的伏安特性0? U ? Uth iD = 0Uth = 0.5 V(硅管) 0.2 V(锗管)正向特性ISU (BR)U ? UthiD 急剧上升反向击穿UthUD(on) = 0.6 ? 0.7 V硅管0.7 V反向特性0.2 ? 0.3 V锗管0.2 VU（BR) ?U? 0 iD = IS 0.1 ?A(硅) 几十?A (锗)第1章 半导体二极管U U（BR）反向电流急剧增大(反向击穿)反向击穿类型：电击穿— PN结未损坏，断电即恢复。热击穿— PN结烧毁。反向击穿原因： 齐纳击穿：（Zener)反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6V, 负温度系数)雪崩击穿:反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由电子数突增。(击穿电压 6V, 正温度系数)击穿电压在 6 V左右时，温度系数趋近