《电力电子应用技术》第三版 莫正康 第4章.ppt

第四章 全控型电力电子器件;　　电力电子器件种类繁多，按其开关控制性能可分为不控型器件、半控型器件和全控型器件：;　　在全控型电力电子器件中，根据器件内部载流子参与导电的种类不同可分为三大类型：单极型、双极型和混合型。;第一节　电力晶体管 ;;　　由于GTR的工作电流和功耗大，工作时出现与小信号晶体管不同的新问题，称为GTR的大电流效应。;;　　目前作为大功率开关应用最多的还是GTR模块，是由两只三级达林顿GTR及其辅助元件构成的单臂桥式电路模块。;二、GTR的主要特性 ;输出特性分四个区：;　　截止区I：UBE≤0，UBC＜0，发射结、集电结均反偏。此时IB＝0，GTR承受高电压，仅有极小的漏电流。 ;2．动态特性;　　为减小开关时间，提高工作频率，应尽可能选择结电容小的GTR，提高基极驱动电流以加快充电速度。但驱动电流过大将增大t S，应用中常在基极电路中采用加速电容。 ;;2．最大电流额定值;GTR工作时，通常IC只能用到ICM的一半左右。;式中 RTJC——晶体管的热阻(oC／W)。;１．二次击穿现象;2．安全工作区;　　安全工作区是指使GTR能够安全运行的范围，简称SOA，分为正向偏置安全工作区和反向偏置安全工作区。;　　正向偏置安全工作区a所示，反向偏置安全工作区b所示。;　　1）GTR开通时要采用强驱动，前沿要陡，并有一定的过饱和驱动电流（Ib1），以缩短开通时间，减小开通损耗。;　　2）GTR导通后相应减小驱动电流（Ib2），使器件处于临界饱和状态，降低驱动功率减小存贮时间。;2．GTR基极驱动电路实例;UAA4002原理框图;;该电路具有以下功能与特点：;　　门极可关断晶闸管简称GTO，是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件。;;　　GTO的外部引出三个电极，但内部却包含数百个共阳极的小GTO，这些小GTO称为GTO元。GTO元的阳极是共有的，门极和阴极分别并联在一起。这是为实现门极控制关断所采取的特殊设计。 ;　　由于结构的不同，GTO又分为多种类型，目前用得较多的是逆阻GTO和阳极短路GTO两种。;二、GTO的主要特性;2．通态压降特性;3．开通特性;4．关断特性;三、GTO的主要参数;　　为减小UP，必须尽量缩短缓冲电路的引线，减小杂散电感，并???用快恢复二极管及无感电容。;　　（1）导通触发　GTO在按一定频率的脉冲触发时，要求前沿陡、幅值高的强脉冲触发。;;　　功率场效应晶体管简称功率MOSFET，它是一种单极型电压控制器件。它具有自关断能力，且输入阻抗高、驱动功率小，开关速度快，工作频率可达１MHz，不存在二次击穿问题，安全工作区宽。;二、功率MOSFET的主要特性;　　功率MOSFET的特性可分为静态特性和动态特性，输出特性和转移特性属静态特性，而开关特性则属动态特性。 ;;　　可调电阻区Ⅰ：UGS一定时，漏极电流ID与漏源极电压UDS几乎呈线性关系。当MOSFET作为开关器件应用时，工作在此区内。;　　转移特性是在一定的漏极与源极电压UDS下，功率MOSFET的漏极电流ID和栅极电压UGS的关系曲线。;只有当UGS＞ UGS（th）时，器件才导通，UGS（th）称开启电压。;　　输入电容C iss输出电容C oss和反馈电容C rss是应用中常用的参数，它们与极间电容的关系定义为;;　　关断时间t off可分为存储时间t s和下降时间t f两部分t off则由功率MOSFET漏源间电容CDS和负载电阻决定。;　　通常规定：在确定的栅源电压UGS下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的漏源极间直流电阻为通态电阻。它是影响最大输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。;3．跨导g m ;5．栅源击穿电压BUGS;四、功率MOSFET的安全工作区;　　由四条边界极限所包围：（Ⅰ）漏源通态电阻Ron限制线、（Ⅱ）最大漏极电流IDM限制线、（Ⅲ）最大功耗ＰDM限制线和（Ⅳ）最大漏源电压UDSM限制线。和GTR安全工作区相比有两点明显不同：一是功率MOSFET无二次击穿问题，故不存在二次击穿功率的限制，安全工作区较宽；二是功率MOSFET的安全工作区在低压区受通态电阻的限制，而不像GTR最大电流极限线一直延伸到纵坐标处。这是因为在这一区段内，由于电压较低，沟道电阻增加，导致器件允许的工作电流下降。;;　　图还示出了直流（DC）和脉宽分别为10ms及1ms三种情况的安全工作区。;五、功率MOSFET的栅极驱动电路;　　1）触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度，即脉冲前后沿要求陡峭。 ;2．驱动电路实例;;;a　中电阻R，以提高输出驱动电平的幅值。 b　为改进的快速开通驱动电路。 c　是推挽式驱动电路;;　　电源Ucc1经电阻R3、二极管VD3和电容C加速网络