电力电子技术第2章 全控型电力电子器件.pptVIP

模块 IGBT 1.1 什么是电力电子技术-电力电子器件 开关器件——IGCT＝驱动电路＋GCT 4kA/4.5kV IGCT 663A/4.5kV IGCT GCT分解部件 1.1 什么是电力电子技术-开关器件 第一节 门极可关断（GTO）晶闸管 1. 结构 与普通晶闸管的相同点：PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极； 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。 2. 导通关断条件 导通：同晶闸管，AK正偏，GK正偏 关断：门极加负脉冲电流 3.特点 全控型 容量大 ?off≈5 电流控制型　 电流关断增益?off ： 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益 1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 第二节 GTR——电力晶体管 电力晶体管GTR （Giant Transistor，巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 1.单管GT