模拟电路线性场效应管.pptxVIP

3.2 结型场效应管;概 述; FET优点：输入电阻大（Ri107Ω～1012Ω）、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强、体积小、工艺简单，便于集成，因此应用广泛。 主要用于高输入阻抗放大器的输入级。;3.1 MOS场效应管;;MOS管外部工作条件:两个PN结反偏。N-EMOS管为：; 3.1.1 N沟道增强型（EMOS）管; (2)当VGS0时，VGS对沟道导电能力的控制作用。图(b);2、当VGSVGS(th)且一定时，VDS对沟道导电能力iD的影响。图(d); VDS;3、若考虑沟道长度调制效应（CLME）; MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。;;N-EMOS管; 由于N-EMOS管栅极电流为零，故没有输入特性曲线。 ;N—EMOS管输出特性曲线;ID=f(VDS)?VGS=const; N—EMOS管输出特性曲线;数学模型：;;数学模型：工作在饱和区时，MOS管的正向受控作用，服从平方律关系式：;; MOS管COX很小，当带电物体（烙铁或人）靠近金属栅极时Q大，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生很大的电压VGS(=Q/COX)，使绝缘层击穿，造成MOS管永久性损坏。; N—EMOS管转移特性曲线;三、衬底效应; 四、P沟道EMOS管;五、VMOS管;3.1.2 耗尽型MOS场效应管;2、耗尽型：当VGS＝0时，存在导电沟道，ID?0;说明; 二、N-DMOS管伏安特性;3.1.3 四种MOS场效应管比较：P113;3.1.3 六种场效应管的符号及特性如图所示。P113;N-DMOS管;P-DMOS管;3.1.4 小信号电路模型——P112; 将场效应管视为二端口网络;令;说明;; MOS管跨导; 计及衬底效应的MOS管简化电路模型; MOS管高频小信号电路模型; 场效应管电路分析方法与三极管的相似，可采用估算法（公式）分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。图解法少用。;1、MOS管截止模式判断方法;3、饱和区（放大区）外加电压极性及数学模型; 临界饱和工作条件; N-EMOS直流简化电路模型(与三极管相对照) ;例1 已知?nCOXW/(2l)=0.25mA/V2，VGS(th)= 2V, 求ID;二、小信号等效电路法; 3.2 结型场效应管（JFET）; 3.2 N-JFET结构和工作原理; N沟道JFET管外部工作条件; ①VGS对沟道宽度的影响：;① VGS对沟道的控制作用（VDS=0）; VDS很小时 → VGD ?VGS; 当VDS增加到使VGD ?并=VGS(off)时， → A点出现预夹断。; VDS;2. 工作原理;3.2.1工作原???;JFET是电压控制电流器件，iD受VGS控制.; 与MOSFET工作原理相似，都是利用电场效应，通过变化VGS，改变阻挡层宽、或窄， 从而改变导电沟道宽、或窄， 从而控制漏极电流ID。 不同之处：导电沟道形成的原理不同。; 一、非饱和区(可变电阻区);二、饱和区(放大区，又称恒流区）;三、截止区; JFET转移特性曲线; 1、转移特性;;; JFET电路模型同MOS管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。;;;一、场效应管放大电路的特点;二、表3.1 场效应管与晶体管的比较;;三、各类FET管VDS、VGS极性比较 ; 场效应管与三极管性能比较 ;三、表3.2 场效应管偏置电压的极性 ; N-EMOS管GD相连?构成有源电阻; N-DMOS管GS相连?构成有源电阻; 有源电阻?构成分压器;复习; （1）特性曲线; 3. N-DMOS管（有原始导电沟道）;增加——场效应管放大电路的三种接法:;N-EMOS管放大器静态Q点的设置方法及分析计算; 2、静态Q点的确定;二、分压式偏置电路;;根据漏极回路方程; 三、自给偏压电路; 增加——3.1.6 场效应管的主要参数;二、交流参数;;; Rg1、Rg2：栅极偏置电阻，Rs：源极电阻，Rd：漏极负载电阻。与共射基本放大电路的Rb1、Rb2，Re和Rc分别一一对应。要求：结型场效应管栅源间PN结反偏工作，无栅流，JFET和MOSFET的直流通道和交流通道是一样的。; 根据图可写出下列方程 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGSQ= VG－VS= VG－IDQR IDQ= IDSS[1－(VGSQ /VGS(off))]2 VDSQ= VD