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门极可关断晶闸管GTO（百度百科） 门极可关断晶闸管是晶闸管的一个衍生器件。但可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断，它是全控型器件。 中文名 门极可关断晶闸管 外文名 Gate-Turn-Off Thyristor 简????称 门极可关断晶闸管的简称 类????型 晶闸管的一个衍生器件 通????过 通过门极施加负的脉冲电流 目录 1 概述 2 GTO的结构 3 GTO与普通晶闸管的不同 4 GTO的主要参数 1概述 \o 编辑本段 GTO（Gate-Turn-Off Thyristor）是门极可关断晶闸管的简称，他是晶闸管的一个衍生器件。但可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断，他是全控型器件。 2GTO的结构 \o 编辑本段 GTO和普通晶闸管一样，是PNPN四层半导体结构，外部也是引出阳极．阴极和门极。但和普通晶闸管不同的是，GTO是一种多元的功率集成器件。虽然外部同样引出三个极，但内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO单元，这些GTO单元的阴极和门极在器件内部并联，他是为了实现门极控制关断而设计的。 GTO的内部结构图和电气图形符号 GTO的工作原理 从图中可知PNP和NPN构成了二个晶闸管V1 V2分别有共基极电流增益a1和a2。 1 当a1+a2=1时，是器件临界导通的条件。 2 当a1+a21时，是二个晶体管过饱和导通的条件。 3 当a1+a21时，是不能维持饱和导通而关断的条件。 3GTO与普通晶闸管的不同 \o 编辑本段 1)在设计器件时使a2较大，这样晶体管V2控制灵敏，这样GTO可以很容易关断。 2）使得a1+a2趋向与1，普通晶闸管a1+a2=1.15，而GTO的近似为1.05，这样GTO导通时饱和程度不深，更接近与临界饱和，为门极可关断控制提供了有力条件。不利因素，导通时管压降增大了。 3）集成结构中每个GTO单元的阴极面积小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2基区的横向电阻很小，使门极抽出较大的电流成为可能。 4）它比普通晶闸管开通过程快，承受的电压能力强。 4GTO的主要参数 \o 编辑本段 （1）最大可关断阳极电流IATO （2）电流关断增益βOff=IATO/IGM IGM是门极负脉冲电流最大值 βOff一般只有5左右，这是GTO的主要缺点 (3)开通时间Ton 开通时间指延迟时间与上升时间之和.GTO的延迟时间一般为1~2us,上升时间则随同态阳极电流值的增大而增大。 （4）关断时间Toff 关断时间指存储时间与下降时间之和，而不包括尾部时间。GTO的存储时间则随阳极电流值的增大而增大，下降时间一般小于2us。 可关断晶闸管门极驱动电路(图1）包括门极开通电路和门极关断电路。某些场合还包括虚线所示的门极反偏电路，以增加抗干扰能力。门极开通电路为可关断晶闸管提供开通时的正门极脉冲电流。图2a是一种门极开通电路，当导通信号电压是高电平时，晶体管G1导通，其发射极电流即作为触发电流流入可关断晶闸管门极。门极关断电路为可关断晶闸管提供关断时的负门极脉冲电流。图2b是一种门极关断电路，当关断信号来时，晶闸管G2导通。负电压E2通过G2加到可关断晶闸管的门极，抽取门极电流。当可关断晶闸管T关断后,门极恢复阻断，门极电流降为零，G2也恢复阻断。图2c是完整的双电源门极驱动电路。 可关断晶闸管门极驱动电路 可关断晶闸管门极驱动电路分类 根据对驱动可关断晶闸管的特性或容量、应用的场合、电路电压、工作频率、要求的可靠性和价格等方面的不同要求，有各式各样的门极驱动电路。 可关断晶闸管门极驱动电路 图3是单电源可关断晶闸管门极驱动电路。输入导通信号时，G1导通，产生正门极脉冲电流,使可关断晶闸管导通。这时电容器C充上了左正右负的电压。输入关断信号时，G1关断，G2导通，已充电的电容作为电源通过G2抽取可关断晶闸管的门极电流，使可关断晶闸管关断。这种电路的特点是电路简单，仅需一组驱动电路的电源。但导通信号的时间不能太短，否则电容上储存的能量太小，不足以关断可关断晶闸管。 可关断晶闸管门极驱动电路 图4是脉冲减窄的门极开通电路,用以减少门极损耗。可关断晶闸管导通后,能自行维持导通，门极正脉冲电流失去作用、在保证晶闸管可靠导通的前提下，尽可能减小正触发脉冲的宽度。当导通信号电压是高电平时，晶体管G1导通。G1的发射极电流通过电阻R，稳压管W提供G2的基极电流。G2进入放大状态,它的发射极电流即是可关断晶闸管T的正门极脉冲电流。当T导通后，二极管D的阴极电位低于阳极电位，D导通，将G1所有的发射极电流引入T的阳极，G2截止，T 的门极电流降为零。这种电路既实现了正触发脉冲的减窄，又无碍于变流器的正常工作。 为了用同一个控制电路控制不同电位的可关断晶闸管，或为了