考点36 物质的制备（含工艺流程图）.doc免费

考点36 物质的制备 一、选择题 25．(2017湖南省邵阳市，题号25 ，分值2)下列根据实验目的所设计的实验方案中，正确的是 选项 实验目的 实验方案 A 除去稀硫酸中的FeSO4 加入适量铁粉 B 除去CO2中的CO 将气体通入NaOH溶液 C 除去CaCl2溶液中的HCl 加过量CaCO3，过滤 D 除去铝粉中的铜粉 加适量稀硫酸，过滤 【答案】C 【解析】A项，加入铁粉会与稀硫酸发生反应，生成硫酸亚铁，不能除去硫酸亚铁，此项错误 。B项， 将气体通入氢氧化钠，二氧化碳会与氢氧化钠发生反应，一氧化碳不反应，不能除去一氧化碳，此项错误。C项， 加入过量碳酸钙，盐酸与碳酸钙反应生成氯化钙、二氧化碳和水而除去，没有引入新杂质，过量的碳酸钙不溶于水，可过滤出去，此项正确 。 D项， 铜粉不能与稀硫酸发生反应，，与铝粉反应 ，加入稀硫酸不能除去铜粉，此项错误。 【知识点】除杂 25．（2017年湖北黄冈，25题，1分）Si是重要的半导体材料，半导体工业中有一句行话“从沙滩到用户”，指的是利用沙子（主要成分SiO2）制取高纯度的Si。已知硅与碳有相似的化学性质，SiHCl3（三氯氢硅）能与水反应，其工艺流程和主要化学反应如下： ①2C+SiO2Si（不纯）+2CO↑ ②3HCl+Si（不纯）SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H23HCl+Si（高纯） 下列说法不正确的是 A．①的目的是将二氧化钛硅转化为单质硅 B．物质A可循环利用 C．整个制备过程必须达到无水无氧 C．反应③中SiHCl3是还原剂 【答案】D 【解析】本题考查工业制硅工艺流程中的有关变化。 A．由反应①可知，该反应将石英砂中的SiO2转化为Si，故A正确； B．根据反应③可知，产物A是HCl，其在反应②中是反应物，故可循环利用，B正确； C．根据题给信息，三氯氢硅能与水反应，故制备过程中不能有水；而三步反应中具有可燃性气体生成或参加反应，故不能有氧气，否则加热或高温时易发生爆炸，故正确； D．反应③中H2是还原剂，故错误。 【知识点】信息给予题 15．（2017江苏省泰州市，题号15，分值2）“细菌冶金”的原理是利用氧化铁硫杆菌促使 (主要成分FeS2)氧化成硫酸铁和硫酸，并能为CO2和H2O合成有机物提供能量。流程如下图，下列说法错误的是 A．反应①化学方程式：4FeS2+15O2+2X=2Fe2(SO4)3+2H2SO4，X为H2O B.整个流程提高了能量的利用率 C.图中有机物一定不含氧元素 D.氧化铁硫杆菌在反应②中起催化作用 【答案】CD 【解析】A. 反应①化学方程式：4FeS2+15O2+2X=2Fe2(SO4)3+2H2SO4，根据化学反应前后原子的种类、数目均不变分析：反应前铁原子：4，硫原子：8，氧原子：30，反应后：铁原子：4，硫原子：8个，氧原子：32，氢原子：4个，可得，X的化学式为H2O，A正确； B.反应①放出的热量提供给了反应②，提高了能量的利用率，B正确； C.反应物二氧化碳和水中都含有氧元素，根据化学反应前后元素的种类不变可知，生成的有机物中可能含有氧元素，C错误； D.由流程图可知，氧化铁硫杆菌是反应①的催化剂，反应②中没有加入氧化铁硫杆菌，D错误； 故选CD。 【知识点】质量守恒定律 21．（2017甘肃省兰州市，题号21，分值2）除去下列物质中的杂质，所用试剂和方法均正确的是 物质 杂质 除杂所用的试剂和方法 A 氮气 氧气 木条，点燃 B 稀硫酸 稀盐酸 加入适量的硝酸银溶液、过滤 C 氢氧化钠溶液 氢氧化钡溶液 加入适量的碳酸钠溶液、过滤 D 氯酸钾 氯化钾 加入少量二氧化锰，加热 【答案】C 【解析】此题考查除杂方法，除杂时不能引进新的杂质，且要保证将要除掉的杂质除尽。 氮气不支持燃烧，而氧气支持燃烧，但是氧气与木条燃烧还会生成二氧化碳气体，引入了新的杂质，故错误； 盐酸与硝酸银反应会产生沉淀，硫酸也会发生累类似的反应，故错误； 氢氧化钡能够和碳酸钠反应生成碳酸钡沉淀和氢氧化钠，在除杂的同时还增加了氢氧化钠的量，故正确。选择C； 氯酸钾在二氧化锰的催化作用下能分解为氯化钾和氧气，但是二氧化锰固体会成为氯化钾中的新杂质，故错误。 【知识点】除杂原理及常见物质的除杂方法。 二、填空题 21．（2017湖南省娄底市，题号43，分值8）碳酸亚铁(FeCO3)可用于制作补铁药物，以下是用硫铁矿烧渣（主要成分是Fe2O3、SiO2等）为原料制备碳酸亚铁的生产流程示意图： 【资料】40℃以上，(NH4)2CO3易分解 (1) 操作 = 1 \* ROMAN I的名称为 。 (2)写出向固体A中加入稀硫酸后发生的化学方程式： 。 (