Q_DGE 1-2018BT型半导体发光二极管详细规范.pdf

ICS 31.080 L 53 注 备案号：QB/440600 29 4465-2018 Q/DGE 佛山市国星光电股份有限公司企业标准 Q/DGE 1-2018 代替Q/DGE 1-2015 BT 型半导体发光二极管详细规范 2018-07-29 发布 2018-8-1 实施 佛山市国星光电股份有限公司 发布 Q/DGE 1-2018 前 言 本标准参照 GB/T 1.1-2012 作为编制的起草规则，并参照 GB/T 18904.3-2002《半导体器件 第 12-3 部分：光电子器件 显示用发光二极管空白规范》的规定格式进行编写。技术指标结合国内外同类产品 的技术参数和本公司产品的性能特点进行编写。 本标准代替Q/DGE 1-2015 《BT型半导体发光二极管详细规范》（备案号：QB/440600 31 3666-2015）。 本标准与Q/DGE 1-2015的主要差异如下： ——鉴于客户使用的条件越来越多元化，本标准就第七、第八章细节问题作适当修改增加； 本标准附录A、附录B、附录C是标准的规范性附录。 本标准起草单位：佛山市国星光电股份有限公司。 本标准主要起草人：李程、黄杨程、刘发波、杨勇、阮坚。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——代替Q/DGE 01.16-2002 《电子元器件详细规范BT型半导体超高亮度绿色、红色发光二极管》； ——代替Q/DGE 3-2003 《电子元器件详细规范BT型半导体红色、绿色发光二极管》； ——代替Q/DGE 8-2004 《BT型半导体白色发光二极管详细规范》； ——代替Q/DGE 01.16-2008 《电子元器件详细规范BT型半导体超高亮度绿色、红色发光二极管》； ——代替Q/DGE 1-2009 《BT型直插式半导体发光二极管详细规范》； ——代替Q/DGE 1-2015 《BT型半导体发光二极管详细规范》。 I Q/DGE 1-2018 BT 型半导体发光二极管详细规范 本标准规定了BT型半导体发光二极管的详细要求。 Q/DGE 1-2018 佛山市国星光电股份有限公司 评定电子元器件质量的依据： GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部份：分 立器件和集成电路总规范 GB/T 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规 范 详细规范适用于：BT型半导体发光二极管。 订货资料：见本规范第7章。 1 机械说明 2 简略说明 外形标准：参照《产品规格书》 类型：显示、指示用直插式发光分立器件 外形图：本规范9.3.2 半导体材料：GaP、GaN、GaAs、GaAsP、AlGaInP、 引出端识别：本规范9.3.2 AlGaAs、InGaN等 标志：本规范第6章 封装：树脂封装 应用：仪表、仪